HSM4435
品牌
HUASHUO
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9.5A 功率(Pd)：3.1W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | HUASHUO |
| 阈值电压: | 2.5V |
| 原始制造商: | HUASHUO SEMICONDUCTOR |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 9.5A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOP-8_4.9X3.9MM |
| 元件生命周期: | Active |
| 反向传输电容Crss: | 158pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| 输入电容: | 1.345nF |
| 最小包装: | 2500pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 12.6nC |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | P沟道 |