HUASHUO

HSL03N20
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：1.5A 功率(Pd)：42W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1Ω@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA

HSU0115
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：18A 功率(Pd)：54W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：95mΩ@10V,18A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSBA6074
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：83W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.7mΩ@10V,20A

HSCC8233
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

HSU70P06
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: P沟道 耐压:60V 电流:70A

IRLML5203
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3.2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：60mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA

HSM3214
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSSN3139
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：630mΩ@4.5V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.1V@250uA

HSBA3048
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：63W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.3mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：45nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.432nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：196pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

HSBB3016
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：43.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4mΩ@10V,20A