HUASHUO

HSBA3050
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：75A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.8mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSW3415
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV@250uA

HSUL8712
供应商: Anychip Mall
分类: 电池保护芯片

HSS3414A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：26mΩ@4.5V,4A

HSH150N04
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：150A 功率(Pd)：180W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.0V@250μA

HSBB3062
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：36A 功率(Pd)：26W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12.5mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.4V@250μA

HSU3004
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：55A 功率(Pd)：41W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA 栅极电荷(Qg@Vgs)：12.6nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：1.317nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：131pF@15V 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)

HSU12N10
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：28W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：105mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSU0026
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：62.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@10V,9A

HSST3134
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：900mA 功率(Pd)：250mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：400mΩ@4.5V,800mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA