HSBA3048
品牌
HUASHUO
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：63W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.3mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：45nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.432nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：196pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)