HUASHUO
商品列表
HSBA4115
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs PRPAK5X6 P-Channel 52A
安装类型: SMT 功率耗散: 52.1W 原始制造商: HUASHUO SEMICONDUCTOR 连续漏极电流Id@25℃: 52A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 40V 长x宽/尺寸: 5.30 x 6.35mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: PRPAK5x6 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 输入电容(Ciss)(Max): 3.5nF 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 高度: 1.20mm 零件状态: Active 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs PRPAK5X6 P-Channel 52A
安装类型: SMT 功率耗散: 52.1W 原始制造商: HUASHUO SEMICONDUCTOR 连续漏极电流Id@25℃: 52A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 40V 长x宽/尺寸: 5.30 x 6.35mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: PRPAK5x6 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 输入电容(Ciss)(Max): 3.5nF 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 高度: 1.20mm 零件状态: Active 引脚数: 8Pin
HSS2607
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：32mΩ@4.5V,<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>4A</SPAN>
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：32mΩ@4.5V,<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>4A</SPAN>
HSS2307
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@4.5V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@4.5V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA
HSU8048
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：48A 功率(Pd)：56W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.5mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.3V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：48A 功率(Pd)：56W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.5mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.3V@250μA
HSCE6032
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：41W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.1mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：57nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.307nF@30V 反向传输电容(Crss@Vds)：151pF@30V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) 停产
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：41W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.1mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：57nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.307nF@30V 反向传输电容(Crss@Vds)：151pF@30V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) 停产
HSL6008
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>2.8A</SPAN> 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@10V,2.5A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>2.8A</SPAN> 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@10V,2.5A
HSSK8811
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.5A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：130mΩ@4.5V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.5A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：130mΩ@4.5V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA
HSM0204
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：2.5A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：19.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.535nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：37.4pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：2.5A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：19.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.535nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：37.4pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
HSBB2627
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：48A 功率(Pd)：29W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9mΩ@4.5V,10A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：48A 功率(Pd)：29W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9mΩ@4.5V,10A
HSBB3103
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：32A 功率(Pd)：29W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,15A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：32A 功率(Pd)：29W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,15A