HUASHUO

HSP200N02
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：200W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：33mΩ@10V,60A

HSM3107
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：62mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSM1641
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：1个N沟道和1个P沟道

HSS2300A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：26mΩ@4.5V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250uA

HSBB6056
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：27.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@10V,15A

HSU90N02
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：82W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>4m</SPAN>Ω@4.5V,30A

HSM6113
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSM0094
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@10V,11.5A

HSM9926
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：28mΩ@4.5V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA

HSM4004
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA