HSM0204
品牌
HUASHUO
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：2.5A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：19.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.535nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：37.4pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)