VBTA2245N

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=550mA RDS(ON)=450mΩ@4.5V SC75

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:VBsemi
击穿电压:20V
阈值电压:1V@250µA
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:550mA
长x宽/尺寸:1.58 x 0.76mm
封装/外壳:SOT-416
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:单路
原产国家:China Taiwan
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):450mΩ
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):2.5nC
零件状态:Active
晶体管类型:P沟道
价格梯度 价格
5+¥0.6806
50+¥0.5552
150+¥0.4926
500+¥0.4455
3000+¥0.3542
6000+¥0.3354
包装:5 库存:2200