VBTA2245N

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=550mA RDS(ON)=450mΩ@4.5V SC75

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:VBsemi
击穿电压:20V
阈值电压:1V@250µA
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:550mA
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT-416
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:单路
原产国家:China Taiwan
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):2.5nC
零件状态:Active
晶体管类型:P沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
1+¥0.6784
10+¥0.6360
50+¥0.5724
150+¥0.5300
300+¥0.5003
500+¥0.4876
包装:1 库存:0