ME9435
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=4.1A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 1.3W |
| 阈值电压: | 2V@250µA |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 4.1A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 4.90 x 3.90mm |
| 封装/外壳: | SOIC8_150MIL |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | - |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | 16nC |
| 配置: | 单路 |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 56mΩ |
| 原产国家: | China Taiwan |
| 输入电容: | - |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 24nC |
| 高度: | 1.75mm |
| 晶体管类型: | MOSFET |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.3568 |
| 10+ | ¥1.2720 |
| 50+ | ¥1.1448 |
| 150+ | ¥1.0600 |
| 300+ | ¥1.0006 |
| 500+ | ¥0.9752 |
| 包装：1 | 库存：0 |