VBA3222
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=7.1A RDS(ON)=19mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 20V |
| 功率耗散: | 2W |
| 阈值电压: | 1.5V@250µA |
| 额定功率: | 2W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 25mΩ@4.5V,7.1A |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 7.1A |
| 封装/外壳: | SOIC8_150MIL |
| 栅极源极击穿电压: | ±12V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | 9.5nC |
| 配置: | 双路 |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 19mΩ |
| 输入电容: | - |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 栅极电荷(Qg): | 9.5nC |
| 高度: | 1.75mm |
| 晶体管类型: | 2个N沟道(双) |
| 引脚数: | 8Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.6272 |
| 10+ | ¥1.5255 |
| 50+ | ¥1.3730 |
| 150+ | ¥1.2713 |
| 300+ | ¥1.2001 |
| 500+ | ¥1.1696 |
| 包装：1 | 库存：0 |