VBA3222
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款双N型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高性能开关的电路和模块等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,20V；7.1A；RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=0.6~1.5V；
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 击穿电压: | 20V |
| 阈值电压: | 1.5V@250µA |
| 原始制造商: | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 7.1A |
| 长x宽/尺寸: | 4.90 x 3.90mm |
| 封装/外壳: | SOIC8_150MIL |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 配置: | 双路 |
| 原产国家: | China Taiwan |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 19mΩ |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 栅极电荷(Qg): | 9.5nC |
| 零件状态: | Active |
| 高度: | 1.75mm |
| 晶体管类型: | 2个N沟道(双) |
| 引脚数: | 8Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥1.1824 |
| 50+ | ¥1.1568 |
| 150+ | ¥1.1397 |
| 500+ | ¥1.0619 |
| 包装：5 | 库存：25 |