PJ
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BCX53SQ-16
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 三极管 PNP Ic=1A Vceo=80V hfe=25~250 P=0.5W SOT89-3
安装类型: SMT 品牌: PJ 功率耗散: 500mW 额定功率: 1.3W Vce饱和压降: 500mV 集射极击穿电压Vce(Max): 30V 跃迁频率: 145MHz 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.50mm 封装/外壳: SOT89-3 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 500mV@500mA,50mA 集电极电流 Ic: 1A 特征频率(fT): 145MHz 高度: 1.50mm DC电流增益(hFE): 100 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 三极管 PNP Ic=1A Vceo=80V hfe=25~250 P=0.5W SOT89-3
安装类型: SMT 品牌: PJ 功率耗散: 500mW 额定功率: 1.3W Vce饱和压降: 500mV 集射极击穿电压Vce(Max): 30V 跃迁频率: 145MHz 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.50mm 封装/外壳: SOT89-3 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 500mV@500mA,50mA 集电极电流 Ic: 1A 特征频率(fT): 145MHz 高度: 1.50mm DC电流增益(hFE): 100 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
PJM84PSA
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=0.13A SOT23-3
安装类型: SMT 阈值电压: 2V@250µA 额定功率: 225mW 原始制造商: Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd. 包装: Tape/reel 印字代码: P84 连续漏极电流: 130mA 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 5pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 30pF 漏源电压(Vdss): 50V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 1.77nC@10V 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=0.13A SOT23-3
安装类型: SMT 阈值电压: 2V@250µA 额定功率: 225mW 原始制造商: Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd. 包装: Tape/reel 印字代码: P84 连续漏极电流: 130mA 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 5pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 30pF 漏源电压(Vdss): 50V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 1.77nC@10V 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
PJM3420NSA
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Load Switch for Portable Devices
安装类型: DIP 功率耗散: 0.9W 连续漏极电流Id@25℃: 6A 包装: Tape/reel 极性: N-Channel 印字代码: R20 FET类型: N沟道 长x宽/尺寸: 2.90x1.30mm 封装/外壳: SOT-23 配置: Single 输入电容(Ciss)(Max): 630pF@15V 栅极电荷(Qg)(Max): 12.5nC 漏源电压(Vdss): 20V 功率(Max): 900mW 导通电阻Rds On(Max): 29mΩ 认证信息: RoHS 工作温度(Tj): +150℃ 零件状态: Active 高度: 1.025mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Load Switch for Portable Devices
安装类型: DIP 功率耗散: 0.9W 连续漏极电流Id@25℃: 6A 包装: Tape/reel 极性: N-Channel 印字代码: R20 FET类型: N沟道 长x宽/尺寸: 2.90x1.30mm 封装/外壳: SOT-23 配置: Single 输入电容(Ciss)(Max): 630pF@15V 栅极电荷(Qg)(Max): 12.5nC 漏源电压(Vdss): 20V 功率(Max): 900mW 导通电阻Rds On(Max): 29mΩ 认证信息: RoHS 工作温度(Tj): +150℃ 零件状态: Active 高度: 1.025mm 引脚数: 3Pin
PJ54M33SE
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: 线性稳压器/LDO Vin=3~45V Vout=3.3V 350mA SOT-23-5
安装类型: SMT 输出配置: Positive 品牌: PJ 稳压器数量: 1 输出电压（最大值）: - 输入电压: 45V 长x宽/尺寸: 2.92 x 1.60mm 输出类型: 固定 封装/外壳: SOT23-5 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+150℃ 原产国家: China 输出电流: 350mA 静态电流: 2.1μA 最小包装: 3000pcs 输出电压: 3.3V 输出电压（最小值/固定）: 3.3V 输入电压（最大值）: 45V 高度: 1.10mm 引脚数: 5Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: 线性稳压器/LDO Vin=3~45V Vout=3.3V 350mA SOT-23-5
安装类型: SMT 输出配置: Positive 品牌: PJ 稳压器数量: 1 输出电压（最大值）: - 输入电压: 45V 长x宽/尺寸: 2.92 x 1.60mm 输出类型: 固定 封装/外壳: SOT23-5 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+150℃ 原产国家: China 输出电流: 350mA 静态电流: 2.1μA 最小包装: 3000pcs 输出电压: 3.3V 输出电压（最小值/固定）: 3.3V 输入电压（最大值）: 45V 高度: 1.10mm 引脚数: 5Pin
PJM3404NSA
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Load switch and in PWM applications
安装类型: DIP 功率耗散: 0.9W 连续漏极电流Id@25℃: 5.8A 包装: Tape/reel 极性: N-Channel 印字代码: R4 漏源击穿电压BVDSS: 30V FET类型: N沟道 长x宽/尺寸: 2.90x1.30mm 封装/外壳: SOT-23 配置: Single 栅极电荷(Qg)(Max): 5.2nC 功率(Max): 90mW 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻Rds On(Max): 28mΩ 认证信息: RoHS 工作温度(Tj): -55~+150℃ 零件状态: Active 高度: 1.025mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Load switch and in PWM applications
安装类型: DIP 功率耗散: 0.9W 连续漏极电流Id@25℃: 5.8A 包装: Tape/reel 极性: N-Channel 印字代码: R4 漏源击穿电压BVDSS: 30V FET类型: N沟道 长x宽/尺寸: 2.90x1.30mm 封装/外壳: SOT-23 配置: Single 栅极电荷(Qg)(Max): 5.2nC 功率(Max): 90mW 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻Rds On(Max): 28mΩ 认证信息: RoHS 工作温度(Tj): -55~+150℃ 零件状态: Active 高度: 1.025mm 引脚数: 3Pin
PJM65H0A5NSQ
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Power switch circuit of adaptor and charger
安装类型: DIP 功率耗散: 4.8W 连续漏极电流Id@25℃: 0.5A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 650V FET类型: N沟道 长x宽/尺寸: 4.50x2.50mm 存储温度: -55~+150℃ 封装/外壳: SOT-89 栅极源极击穿电压: ±20V 配置: Single 栅极电荷(Qg)(Max): 4.8nC 漏源电压(Vdss): 650V 功率(Max): 1W 导通电阻Rds On(Max): 30Ω 认证信息: RoHS 工作温度(Tj): +150℃ 零件状态: Active 高度: 1.5mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Power switch circuit of adaptor and charger
安装类型: DIP 功率耗散: 4.8W 连续漏极电流Id@25℃: 0.5A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 650V FET类型: N沟道 长x宽/尺寸: 4.50x2.50mm 存储温度: -55~+150℃ 封装/外壳: SOT-89 栅极源极击穿电压: ±20V 配置: Single 栅极电荷(Qg)(Max): 4.8nC 漏源电压(Vdss): 650V 功率(Max): 1W 导通电阻Rds On(Max): 30Ω 认证信息: RoHS 工作温度(Tj): +150℃ 零件状态: Active 高度: 1.5mm 引脚数: 3Pin
PJM2303PSA
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: PWM applicationsLoad Switch
安装类型: DIP 连续漏极电流Id@25℃: 2A 包装: Tape/reel 漏源导通电阻 RDS(on): 180 mΩ 漏源击穿电压BVDSS: 30V FET类型: P沟道 长x宽/尺寸: 2.90x1.30mm 存储温度: -55~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 充电电量: 8.5nC 配置: Single 栅极电荷(Qg)(Max): 8.5nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 功率(Max): 900mW 导通电阻Rds On(Max): 180mΩ 认证信息: RoHS 工作温度(Tj): +150℃ 高度: 1.025mm
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: PWM applicationsLoad Switch
安装类型: DIP 连续漏极电流Id@25℃: 2A 包装: Tape/reel 漏源导通电阻 RDS(on): 180 mΩ 漏源击穿电压BVDSS: 30V FET类型: P沟道 长x宽/尺寸: 2.90x1.30mm 存储温度: -55~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 充电电量: 8.5nC 配置: Single 栅极电荷(Qg)(Max): 8.5nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 功率(Max): 900mW 导通电阻Rds On(Max): 180mΩ 认证信息: RoHS 工作温度(Tj): +150℃ 高度: 1.025mm
PJ1117SQ-3.3
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器及LDO
描述: 正电压 15V 3.3V 800mA 10mA
产品分类: 线性稳压器及LDO电源管理 品牌: PJ(Pingjingsemi) 输出配置: Positive 输出类型: Fixed 输入电压（最大值）: 15V 输出电压（最大值）: - 输出电压（最小值/固定）: 3.3V 输出电流: 800mA 静态电流（最大值）: 10mA 安装类型: SMT 工作温度: -40~+125℃ 封装/外壳: SOT89
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器及LDO
描述: 正电压 15V 3.3V 800mA 10mA
产品分类: 线性稳压器及LDO电源管理 品牌: PJ(Pingjingsemi) 输出配置: Positive 输出类型: Fixed 输入电压（最大值）: 15V 输出电压（最大值）: - 输出电压（最小值/固定）: 3.3V 输出电流: 800mA 静态电流（最大值）: 10mA 安装类型: SMT 工作温度: -40~+125℃ 封装/外壳: SOT89
PJ75AL36SA
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: 输出类型：固定 输出极性：正 输出通道数：1 最大输入电压：36V 输出电压：3.6V
安装类型: SMT 输出配置: Positive 品牌: PJ 原始制造商: Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd. 输出电压（最大值）: - 输入电压: 36V 静态电流（最大值）: 3µA 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 输出类型: Fixed 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 输出电流（Max）: 100mA 工作温度: -40~+85℃ 原产国家: China 输出电流: 100mA 输出电压（最小值/固定）: 3.6V 输出电压: 3.6V 输入电压（最大值）: 36V 板上高度: 1.03mm 引脚数: 3Pins
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: 输出类型：固定 输出极性：正 输出通道数：1 最大输入电压：36V 输出电压：3.6V
安装类型: SMT 输出配置: Positive 品牌: PJ 原始制造商: Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd. 输出电压（最大值）: - 输入电压: 36V 静态电流（最大值）: 3µA 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 输出类型: Fixed 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 输出电流（Max）: 100mA 工作温度: -40~+85℃ 原产国家: China 输出电流: 100mA 输出电压（最小值/固定）: 3.6V 输出电压: 3.6V 输入电压（最大值）: 36V 板上高度: 1.03mm 引脚数: 3Pins
PJM2324NSA
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: DC/DC ConverterLoad Switching
安装类型: DIP 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 2A 漏源导通电阻 RDS(on): 278 mΩ 漏源击穿电压BVDSS: 100V FET类型: N沟道 长x宽/尺寸: 2.90x1.30mm 存储温度: -55~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 配置: Single 栅极电荷(Qg)(Max): 5.8nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 功率(Max): 350mW 导通电阻Rds On(Max): 278mΩ 认证信息: RoHS 工作温度(Tj): +150℃ 高度: 1.025mm 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: DC/DC ConverterLoad Switching
安装类型: DIP 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 2A 漏源导通电阻 RDS(on): 278 mΩ 漏源击穿电压BVDSS: 100V FET类型: N沟道 长x宽/尺寸: 2.90x1.30mm 存储温度: -55~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 配置: Single 栅极电荷(Qg)(Max): 5.8nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 功率(Max): 350mW 导通电阻Rds On(Max): 278mΩ 认证信息: RoHS 工作温度(Tj): +150℃ 高度: 1.025mm 晶体管类型: NPN