PJM84PSA

品牌
PJ
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=0.13A SOT23-3

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:PJ
功率耗散:225mW
击穿电压:50V
阈值电压:2V@250µA
额定功率:225mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8Ω@10V,100mA
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:130mA
封装/外壳:SOT-23
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:+150℃
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):10Ω
漏源电压(Vdss):50V
栅极电荷(Qg):1.77nC@10V
晶体管类型:PNP
类型:1个P沟道
价格梯度 价格
50+¥0.1050
500+¥0.0945
5000+¥0.0875
10000+¥0.0840
30000+¥0.0805
50000+¥0.0784
包装:50 库存:0