PJ
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MM5Z9V1
供应商: Chip1Cloud
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DI106STR
供应商: Chip1Cloud
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S3AB-13
供应商: Chip1Cloud
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MMBT3904DC
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 DFN3_1X0.6MM_EP NPN VCEO=40V VCE(sat）=0.3V Ic=0.2A PD=250mW
安装类型: SMT 品牌: PJ 功率耗散: 250mW 原始制造商: Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: NPN 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.60mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN3_1X0.6MM_EP 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 40V 集电极电流 Ic: 200mA 原产国家: China 最小包装: 10000pcs DC电流增益(hFE)(Min&Range): 30~300 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V Vce饱和压降(Max): 0.3V 高度: 0.50mm 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 DFN3_1X0.6MM_EP NPN VCEO=40V VCE(sat）=0.3V Ic=0.2A PD=250mW
安装类型: SMT 品牌: PJ 功率耗散: 250mW 原始制造商: Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: NPN 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.60mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN3_1X0.6MM_EP 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 40V 集电极电流 Ic: 200mA 原产国家: China 最小包装: 10000pcs DC电流增益(hFE)(Min&Range): 30~300 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V Vce饱和压降(Max): 0.3V 高度: 0.50mm 零件状态: Active
GS1010FL_R1_00001
供应商: Sensible Micro Corporation
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MMBTA92
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 达林顿三极管 SOT23 PNP VCEO=300V VEBO=5V PD=350mW IC=0.5A
安装类型: SMT 品牌: PJ 功率耗散: 350mW 原始制造商: Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: PNP 集电极与基极之间电压 VCBO: 300V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 500mA 集电极-发射极电压 VCEO: 300V 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 200 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 零件状态: Active 高度: 1.025mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 达林顿三极管 SOT23 PNP VCEO=300V VEBO=5V PD=350mW IC=0.5A
安装类型: SMT 品牌: PJ 功率耗散: 350mW 原始制造商: Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: PNP 集电极与基极之间电压 VCBO: 300V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 500mA 集电极-发射极电压 VCEO: 300V 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 200 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 零件状态: Active 高度: 1.025mm 引脚数: 3Pin
PJ1134B282MR
供应商: Sense Electronic Company Limited
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