PJM65H0A5NSQ
品牌
PJ
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
Power switch circuit of adaptor and charger
物料参数
| 安装类型: | DIP |
| 功率耗散: | 4.8W |
| 连续漏极电流Id@25℃: | 0.5A |
| 包装: | Tape/reel |
| 漏源击穿电压BVDSS: | 650V |
| FET类型: | N沟道 |
| 长x宽/尺寸: | 4.50x2.50mm |
| 存储温度: | -55~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOT-89 |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 配置: | Single |
| 栅极电荷(Qg)(Max): | 4.8nC |
| 漏源电压(Vdss): | 650V |
| 功率(Max): | 1W |
| 导通电阻Rds On(Max): | 30Ω |
| 认证信息: | RoHS |
| 工作温度(Tj): | +150℃ |
| 零件状态: | Active |
| 高度: | 1.5mm |
| 引脚数: | 3Pin |