PJM2324NSA

品牌
PJ
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
DC/DC ConverterLoad Switching

物料参数

安装类型:DIP
包装:Tape/reel
连续漏极电流Id@25℃:2A
漏源导通电阻 RDS(on):278 mΩ
漏源击穿电压BVDSS:100V
FET类型:N沟道
长x宽/尺寸:2.90x1.30mm
存储温度:-55~+150℃
封装/外壳:SOT-23
栅极源极击穿电压:±20V
配置:Single
栅极电荷(Qg)(Max):5.8nC
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):100V
功率(Max):350mW
导通电阻Rds On(Max):278mΩ
认证信息:RoHS
工作温度(Tj):+150℃
高度:1.025mm
晶体管类型:NPN