WINSOK
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WST3013
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P-Channel Vdss=12V SOT-23-6L
安装类型: SMT 阈值电压: 700mV@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.4A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 封装/外壳: SOT23-6 漏极电流: -4.4A 反向传输电容Crss: 61pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 5.2nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 357pF 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 12V 认证信息: RoHS 晶体管类型: P沟道 应用: Consumer
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P-Channel Vdss=12V SOT-23-6L
安装类型: SMT 阈值电压: 700mV@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.4A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 封装/外壳: SOT23-6 漏极电流: -4.4A 反向传输电容Crss: 61pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 5.2nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 357pF 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 12V 认证信息: RoHS 晶体管类型: P沟道 应用: Consumer
WSF60100
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=7mΩ@10V TO252
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 60V 阈值电压: 3V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 100A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 漏极电流: 98A 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 7mΩ 原产国家: China Taiwan 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=7mΩ@10V TO252
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 60V 阈值电压: 3V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 100A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 漏极电流: 98A 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 7mΩ 原产国家: China Taiwan 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道
WSD40P10DN56
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：54W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 54W 额定功率: 54W 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 30A 长x宽/尺寸: 5.85 X 5.40mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 44nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 95mΩ 输入电容: 3.029nF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 44nC 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：54W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 54W 额定功率: 54W 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 30A 长x宽/尺寸: 5.85 X 5.40mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 44nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 95mΩ 输入电容: 3.029nF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 44nC 晶体管类型: P沟道
WST3416
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=6.5A RDS(ON)=24mΩ@4.5V SOT23-3
安装类型: SMT 功率耗散: 1.4W 阈值电压: 700mV@250µA 额定功率: 1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 24mΩ@4.5V,6.5A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6.5A 长x宽/尺寸: 2.92 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: 6.5A 栅极源极击穿电压: ±8V 反向传输电容Crss: 87pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 10nC 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 1.295nF 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.25mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=6.5A RDS(ON)=24mΩ@4.5V SOT23-3
安装类型: SMT 功率耗散: 1.4W 阈值电压: 700mV@250µA 额定功率: 1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 24mΩ@4.5V,6.5A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6.5A 长x宽/尺寸: 2.92 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: 6.5A 栅极源极击穿电压: ±8V 反向传输电容Crss: 87pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 10nC 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 1.295nF 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.25mm 晶体管类型: N沟道
WSR18P10
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFET TO220 P-Channel ID=25A
安装类型: 插件 品牌: Winsok 功率耗散: 89W 阈值电压: 1.5V@250µA 包装: Tube packing 极性: P-沟道 连续漏极电流: 25A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.22 x 4.62mm 封装/外壳: TO-220-3 漏极电流: -25A 反向传输电容Crss: 140pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 50nC 配置: 单路 漏源电压(Vdss): 100V 高度: 14.99mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFET TO220 P-Channel ID=25A
安装类型: 插件 品牌: Winsok 功率耗散: 89W 阈值电压: 1.5V@250µA 包装: Tube packing 极性: P-沟道 连续漏极电流: 25A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.22 x 4.62mm 封装/外壳: TO-220-3 漏极电流: -25A 反向传输电容Crss: 140pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 50nC 配置: 单路 漏源电压(Vdss): 100V 高度: 14.99mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
WSF50N10G
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：71W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 71W 额定功率: 71W 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 40A 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 16.2nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 20mΩ 输入电容: 1.0039nF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 16.2nC 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：71W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 71W 额定功率: 71W 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 40A 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 16.2nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 20mΩ 输入电容: 1.0039nF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 16.2nC 晶体管类型: N沟道
WSD3030DN
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=34A RDS(ON)=18mΩ@10V
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.9V@250µA 额定功率: 25W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 12mΩ@10V,20A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 34A 封装/外壳: DFN8_3X3MM 漏极电流: 34A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.00mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=34A RDS(ON)=18mΩ@10V
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.9V@250µA 额定功率: 25W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 12mΩ@10V,20A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 34A 封装/外壳: DFN8_3X3MM 漏极电流: 34A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.00mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin 类型: 1个N沟道
WSF50P10
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：34A 功率(Pd)：96W,
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 100V 阈值电压: 2V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 34A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 38mΩ 输入电容: 2.48nF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 100V 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：34A 功率(Pd)：96W,
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 100V 阈值电压: 2V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 34A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 38mΩ 输入电容: 2.48nF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 100V 晶体管类型: P沟道
WST02N20B
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=200V VGS=±25V ID=1.2A RDS(ON)=680mΩ@10V SOT23-3
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 2.5W 阈值电压: 4V@250µA 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 1.2A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.92 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: 1.2A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 280pF 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 200V 认证信息: RoHS 晶体管类型: N沟道 应用: Consumer
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=200V VGS=±25V ID=1.2A RDS(ON)=680mΩ@10V SOT23-3
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 2.5W 阈值电压: 4V@250µA 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 1.2A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.92 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: 1.2A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 280pF 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 200V 认证信息: RoHS 晶体管类型: N沟道 应用: Consumer
WSP8810A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=7A RDS(ON)=21mΩ@10V TSSOP8
安装类型: SMT 功率耗散: 1.25W 阈值电压: 700mV@250µA 额定功率: 1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 14.5mΩ@10V,7A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 7A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TSSOP8_3X4.4MM 元件生命周期: Active 漏极电流: 7A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 16nC 配置: 双路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 1.292nF 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 16nC@4.5V 零件状态: Active 晶体管类型: 2个N沟道(双)
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=7A RDS(ON)=21mΩ@10V TSSOP8
安装类型: SMT 功率耗散: 1.25W 阈值电压: 700mV@250µA 额定功率: 1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 14.5mΩ@10V,7A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 7A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TSSOP8_3X4.4MM 元件生命周期: Active 漏极电流: 7A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 16nC 配置: 双路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 1.292nF 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 16nC@4.5V 零件状态: Active 晶体管类型: 2个N沟道(双)