WINSOK
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WSP4882
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=8A RDS(ON)=26mΩ@10V SOP8_150MIL
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.8V@250µA 额定功率: 2W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 8A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOP8_150MIL 漏极电流: 8A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 26mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.75mm 晶体管类型: 2个N沟道(双) 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=8A RDS(ON)=26mΩ@10V SOP8_150MIL
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.8V@250µA 额定功率: 2W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 8A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOP8_150MIL 漏极电流: 8A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 26mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.75mm 晶体管类型: 2个N沟道(双) 引脚数: 8Pin
WST2301A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.5A 功率(Pd)：1W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 1W 击穿电压: 20V 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 2.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23N 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 5nC 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 465pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 7.8nC 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.5A 功率(Pd)：1W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 1W 击穿电压: 20V 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 2.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23N 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 5nC 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 465pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 7.8nC 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
WSF40P03
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：2.5W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Winsok 功率耗散: 2.5W 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.6V@250uA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 40A 封装/外壳: TO-252(DPAK) 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 115pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：2.5W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Winsok 功率耗散: 2.5W 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.6V@250uA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 40A 封装/外壳: TO-252(DPAK) 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 115pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
WST2033
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Dual P-Channel Vdss=20V SOT-23-6L
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Winsok 功率耗散: 1.1W 击穿电压: 20V 阈值电压: 700mV@250µA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.5A 封装/外壳: SOT23-6 元件生命周期: Active 漏极电流: -4.5A 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 150pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 37mΩ 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active 晶体管类型: 2个P沟道(双)
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Dual P-Channel Vdss=20V SOT-23-6L
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Winsok 功率耗散: 1.1W 击穿电压: 20V 阈值电压: 700mV@250µA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.5A 封装/外壳: SOT23-6 元件生命周期: Active 漏极电流: -4.5A 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 150pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 37mΩ 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active 晶体管类型: 2个P沟道(双)
WST6045
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFET SOT23-6 N-Channel ID=5A
安装类型: SMT 击穿电压: 60V 功率耗散: 1.6W 阈值电压: 2V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5A 封装/外壳: SOT-23-6L 漏极电流: 5A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 26pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 40mΩ 原产国家: China 输入电容: 540pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 晶体管类型: N沟道 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFET SOT23-6 N-Channel ID=5A
安装类型: SMT 击穿电压: 60V 功率耗散: 1.6W 阈值电压: 2V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5A 封装/外壳: SOT-23-6L 漏极电流: 5A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 26pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 40mΩ 原产国家: China 输入电容: 540pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 晶体管类型: N沟道 引脚数: 6Pin
WSK140N08
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：140A 功率(Pd)：250W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 25mW 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 140A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 235pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 115nC 配置: 单路 输入电容: 4.687nF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 80V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：140A 功率(Pd)：250W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 25mW 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 140A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 235pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 115nC 配置: 单路 输入电容: 4.687nF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 80V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
WSD30L20DN
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-20A 功率(Pd)：16.6W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 阈值电压: -1.7V@250uA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 20A 封装/外壳: DFN8_3X3MM 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 120pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 19nC 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 900pF 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-20A 功率(Pd)：16.6W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 阈值电压: -1.7V@250uA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 20A 封装/外壳: DFN8_3X3MM 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 120pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 19nC 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 900pF 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
WST3032
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETSOT323 N-Channel ID=200mA
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 200mA 封装/外壳: SOT-323 漏极电流: 0.2A 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 5Ω 原产国家: China 输入电容: 42pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 0.90mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETSOT323 N-Channel ID=200mA
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 200mA 封装/外壳: SOT-323 漏极电流: 0.2A 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 5Ω 原产国家: China 输入电容: 42pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 0.90mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
WSP9936
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 2N-Channel VDS=20V VGS=±12V SOP8
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 阈值电压: 0.75V@250uA 额定功率: 2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 15mΩ@4.5V,8A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 8A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.20 x 5.00mm 封装/外壳: SOP-8 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 19mΩ 输入电容: 520pF 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 15.6nC@4.5V 高度: 1.05mm 晶体管类型: 2个N沟道(双) 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 2N-Channel VDS=20V VGS=±12V SOP8
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 阈值电压: 0.75V@250uA 额定功率: 2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 15mΩ@4.5V,8A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 8A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.20 x 5.00mm 封装/外壳: SOP-8 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 19mΩ 输入电容: 520pF 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 15.6nC@4.5V 高度: 1.05mm 晶体管类型: 2个N沟道(双) 引脚数: 8Pin
WSF18N15
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：17A 功率(Pd)：72.6W
安装类型: SMT 阈值电压: 2.5V@250uA 额定功率: 72.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 95mΩ@10V,10A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 17A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 2.285nF 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 150V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 25.1nC@4.5V 晶体管类型: N沟道 应用: Consumer 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：17A 功率(Pd)：72.6W
安装类型: SMT 阈值电压: 2.5V@250uA 额定功率: 72.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 95mΩ@10V,10A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 17A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 2.285nF 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 150V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 25.1nC@4.5V 晶体管类型: N沟道 应用: Consumer 类型: 1个N沟道