WSD4050DN

品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=9.5mΩ@10V

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:40V
阈值电压:1.5V@250µA
原始制造商:Winsok power Semiconductor CO., LTD
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:50A
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:DFN8_3X3MM
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:22nC
配置:单路
原产国家:China
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):9.5mΩ
输入电容:1.284nF
漏源电压(Vdss):40V
栅极电荷(Qg):22nC@10V
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道