WINSOK
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WSF15N10G
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=15A RDS(ON)=75mΩ@10V TO252
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Winsok 功率耗散: 36W 击穿电压: 100V 阈值电压: 2.5V@250uA 额定功率: 36W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 75mΩ@10V,5A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 15A 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 100V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 2pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=15A RDS(ON)=75mΩ@10V TO252
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Winsok 功率耗散: 36W 击穿电压: 100V 阈值电压: 2.5V@250uA 额定功率: 36W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 75mΩ@10V,5A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 15A 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 100V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 2pin
WSP14N10
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=14A RDS(ON)=20mΩ@10V SOP8_150MIL
安装类型: SMT 击穿电压: 100V 功率耗散: 72W 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 14A 封装/外壳: SOP8_150MIL 漏极电流: 14A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 41pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 19.8nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 20mΩ 原产国家: China 输入电容: 1.191nF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=14A RDS(ON)=20mΩ@10V SOP8_150MIL
安装类型: SMT 击穿电压: 100V 功率耗散: 72W 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 14A 封装/外壳: SOP8_150MIL 漏极电流: 14A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 41pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 19.8nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 20mΩ 原产国家: China 输入电容: 1.191nF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 晶体管类型: N沟道
WST05P06
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P-Channel Vdss=60V SOT-23-6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 1.3W 阈值电压: 800mV@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 包装: Tube packing 连续漏极电流: 4.9A 封装/外壳: SOT-23-6L 元件生命周期: Active 漏极电流: -4.9A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 25pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 11nC 配置: 单路 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 11nC@0.8V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P-Channel Vdss=60V SOT-23-6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 1.3W 阈值电压: 800mV@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 包装: Tube packing 连续漏极电流: 4.9A 封装/外壳: SOT-23-6L 元件生命周期: Active 漏极电流: -4.9A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 25pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 11nC 配置: 单路 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 11nC@0.8V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
WSF07N10
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=7A RDS(ON)=250mΩ@10V
安装类型: SMT 击穿电压: 100V 阈值电压: 2V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 7A 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 漏极电流: 7A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 13pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 250mΩ 原产国家: China 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 5.2nC@10V 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=7A RDS(ON)=250mΩ@10V
安装类型: SMT 击穿电压: 100V 阈值电压: 2V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 7A 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 漏极电流: 7A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 13pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 250mΩ 原产国家: China 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 5.2nC@10V 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道
WSF50N10
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-252-2L FET类型：N-Channel 栅极电压Vgs：±20V 漏源极电压Vds：100V 连续漏极电流Id：50A
安装类型: SMT 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 2V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 50A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 100V 封装/外壳: TO252 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容Ciss: 2.45nF 反向传输电容Crss: 85pF 漏极电流Idss: 50A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 28mΩ 原产国家: China 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 100V 高度: 2.30mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-252-2L FET类型：N-Channel 栅极电压Vgs：±20V 漏源极电压Vds：100V 连续漏极电流Id：50A
安装类型: SMT 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 2V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 50A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 100V 封装/外壳: TO252 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容Ciss: 2.45nF 反向传输电容Crss: 85pF 漏极电流Idss: 50A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 28mΩ 原产国家: China 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 100V 高度: 2.30mm 晶体管类型: N沟道
WST6066
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2.1A 功率(Pd)：1.25W
安装类型: SMT 击穿电压: 60V 功率耗散: 1.5W 阈值电压: 1.2V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2.1A 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 46pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 19nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 40mΩ 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 1.15mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2.1A 功率(Pd)：1.25W
安装类型: SMT 击穿电压: 60V 功率耗散: 1.5W 阈值电压: 1.2V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2.1A 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 46pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 19nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 40mΩ 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 1.15mm 晶体管类型: N沟道
WSD60N10GDN56
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：125W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 125W 阈值电压: 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 60A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.80 x 5.30mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 49.9nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 2.604nF 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 100V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 49.9nC@10V 晶体管类型: N沟道 应用: Consumer
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：125W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 125W 阈值电压: 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 60A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.80 x 5.30mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 49.9nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 2.604nF 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 100V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 49.9nC@10V 晶体管类型: N沟道 应用: Consumer
WSD4050DN
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=9.5mΩ@10V
安装类型: SMT 击穿电压: 40V 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 50A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_3X3MM 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 22nC 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 9.5mΩ 输入电容: 1.284nF 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 22nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=9.5mΩ@10V
安装类型: SMT 击穿电压: 40V 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 50A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_3X3MM 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 22nC 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 9.5mΩ 输入电容: 1.284nF 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 22nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
WSR3090
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=90A RDS(ON)=5.5mΩ TO220
安装类型: 插件 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 额定功率: 53W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.5mΩ@10V,30A 包装: Tube packing 连续漏极电流: 90A 封装/外壳: TO-220-3 漏极电流: 90A 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 5.5mΩ 原产国家: China 输入电容: 2.295nF 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 20nC@4.5V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=90A RDS(ON)=5.5mΩ TO220
安装类型: 插件 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 额定功率: 53W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.5mΩ@10V,30A 包装: Tube packing 连续漏极电流: 90A 封装/外壳: TO-220-3 漏极电流: 90A 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 5.5mΩ 原产国家: China 输入电容: 2.295nF 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 20nC@4.5V 晶体管类型: N沟道
WSF20N06
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=25A RDS(ON)=45mΩ@10V TO252
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 35W 阈值电压: 1.6V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 25A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 漏极电流: 25A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 60pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 20nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 650pF 漏源电压(Vdss): 60V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=25A RDS(ON)=45mΩ@10V TO252
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 35W 阈值电压: 1.6V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 25A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 漏极电流: 25A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 60pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 20nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 650pF 漏源电压(Vdss): 60V 晶体管类型: N沟道