ADVANCED POWER TECHNOLOGY
商品列表
AP2318GEN-HF-3TR
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 场效应管MOSFET晶体管(600V以下)
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: N沟道 电流, Id 连续: 500mA 漏源电压, Vds: 30V 电压 @ Rds测量: 4V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 1.5ohm 阈值电压 Vgs: 400mV 针脚数: 3引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: SOT-23 功耗 Pd: 700mW
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 场效应管MOSFET晶体管(600V以下)
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: N沟道 电流, Id 连续: 500mA 漏源电压, Vds: 30V 电压 @ Rds测量: 4V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 1.5ohm 阈值电压 Vgs: 400mV 针脚数: 3引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: SOT-23 功耗 Pd: 700mW
AP40T03GH-HF-3TR
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 场效应管MOSFET晶体管(600V以下)
描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 30 V, 0.025 ohm, 10 V, 1 V
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: N沟道 电流, Id 连续: 28A 漏源电压, Vds: 30V 电压 @ Rds测量: 10V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.025ohm MSL: MSL 3 - 168小时 阈值电压 Vgs: 1V 针脚数: 3引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: TO-252 功耗 Pd: 31.25W
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 场效应管MOSFET晶体管(600V以下)
描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 30 V, 0.025 ohm, 10 V, 1 V
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: N沟道 电流, Id 连续: 28A 漏源电压, Vds: 30V 电压 @ Rds测量: 10V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.025ohm MSL: MSL 3 - 168小时 阈值电压 Vgs: 1V 针脚数: 3引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: TO-252 功耗 Pd: 31.25W
AP2319GN-HF-3TR
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 场效应管MOSFET晶体管(600V以下)
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: P沟道 电流, Id 连续: -3.1A 漏源电压, Vds: -30V 电压 @ Rds测量: -4.5V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.097ohm 阈值电压 Vgs: -1V 针脚数: 3引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: SOT-23 功耗 Pd: 1.38W
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 场效应管MOSFET晶体管(600V以下)
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: P沟道 电流, Id 连续: -3.1A 漏源电压, Vds: -30V 电压 @ Rds测量: -4.5V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.097ohm 阈值电压 Vgs: -1V 针脚数: 3引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: SOT-23 功耗 Pd: 1.38W
AP9435GM-HF-3TR
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 单场效应管MOSFET晶体管
描述: 晶体管, MOSFET, P沟道, -5.3 A, -30 V, 0.05 ohm, -10 V, -1 V
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: P沟道 电流, Id 连续: -5.3A 漏源电压, Vds: -30V 电压 @ Rds测量: -10V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.05ohm MSL: MSL 3 - 168小时 阈值电压 Vgs: -1V 针脚数: 8引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: SOIC 功耗 Pd: 2.5W
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 单场效应管MOSFET晶体管
描述: 晶体管, MOSFET, P沟道, -5.3 A, -30 V, 0.05 ohm, -10 V, -1 V
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: P沟道 电流, Id 连续: -5.3A 漏源电压, Vds: -30V 电压 @ Rds测量: -10V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.05ohm MSL: MSL 3 - 168小时 阈值电压 Vgs: -1V 针脚数: 8引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: SOIC 功耗 Pd: 2.5W
AP2316GN-HF-3TR
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 场效应管MOSFET晶体管(600V以下)
描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.7 A, 30 V, 0.042 ohm, 10 V, 1 V
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: N沟道 电流, Id 连续: 4.7A 漏源电压, Vds: 30V 电压 @ Rds测量: 10V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.042ohm MSL: MSL 3 - 168小时 阈值电压 Vgs: 1V 针脚数: 3引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: SOT-23 功耗 Pd: 1.38W
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 场效应管MOSFET晶体管(600V以下)
描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.7 A, 30 V, 0.042 ohm, 10 V, 1 V
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: N沟道 电流, Id 连续: 4.7A 漏源电压, Vds: 30V 电压 @ Rds测量: 10V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.042ohm MSL: MSL 3 - 168小时 阈值电压 Vgs: 1V 针脚数: 3引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: SOT-23 功耗 Pd: 1.38W
AP4232BGM-HF-3TR
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 双路场效应管MOSFET晶体管
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: 双N沟道 电流, Id 连续: 7.6A 漏源电压, Vds: 30V 电压 @ Rds测量: 10V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.022ohm 阈值电压 Vgs: 1V 针脚数: 8引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: SOIC 功耗 Pd: 2W
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 双路场效应管MOSFET晶体管
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: 双N沟道 电流, Id 连续: 7.6A 漏源电压, Vds: 30V 电压 @ Rds测量: 10V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.022ohm 阈值电压 Vgs: 1V 针脚数: 8引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: SOIC 功耗 Pd: 2W
AP9938GEO-HF-3TR
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 双路场效应管MOSFET晶体管
描述: 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6 A, 20 V, 0.018 ohm, 4.5 V, 300 mV
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: 双N沟道 电流, Id 连续: 6A 漏源电压, Vds: 20V 电压 @ Rds测量: 4.5V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.018ohm MSL: MSL 3 - 168小时 阈值电压 Vgs: 300mV 针脚数: 8引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: TSSOP 功耗 Pd: 1W
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 双路场效应管MOSFET晶体管
描述: 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6 A, 20 V, 0.018 ohm, 4.5 V, 300 mV
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: 双N沟道 电流, Id 连续: 6A 漏源电压, Vds: 20V 电压 @ Rds测量: 4.5V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.018ohm MSL: MSL 3 - 168小时 阈值电压 Vgs: 300mV 针脚数: 8引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: TSSOP 功耗 Pd: 1W
BGM-HF-3TR
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 双路场效应管MOSFET晶体管
描述: 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.6 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1 V
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: 双N沟道 电流, Id 连续: 7.6A 漏源电压, Vds: 30V 电压 @ Rds测量: 10V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.022ohm MSL: MSL 3 - 168小时 阈值电压 Vgs: 1V 针脚数: 8引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: SOIC 功耗 Pd: 2W
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 双路场效应管MOSFET晶体管
描述: 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.6 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1 V
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: 双N沟道 电流, Id 连续: 7.6A 漏源电压, Vds: 30V 电压 @ Rds测量: 10V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.022ohm MSL: MSL 3 - 168小时 阈值电压 Vgs: 1V 针脚数: 8引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: SOIC 功耗 Pd: 2W