AP2316GN-HF-3TR
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分类
半导体 - 分立器件>>晶体管>>MOSFET晶体管>>场效应管MOSFET晶体管(600V以下)
描述
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.7 A, 30 V, 0.042 ohm, 10 V, 1 V
物料参数
工作温度最高值: | 150°C |
晶体管极性: | N沟道 |
电流, Id 连续: | 4.7A |
漏源电压, Vds: | 30V |
电压 @ Rds测量: | 10V |
产品范围: | - |
在电阻RDS(上): | 0.042ohm |
MSL: | MSL 3 - 168小时 |
阈值电压 Vgs: | 1V |
针脚数: | 3引脚 |
汽车质量标准: | - |
晶体管封装类型: | SOT-23 |
功耗 Pd: | 1.38W |