ADVANCED POWER TECHNOLOGY
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AP60T03GH-HF-3TR
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 场效应管MOSFET晶体管(600V以下)
描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 30 V, 0.012 ohm, 10 V, 1 V
工作温度最高值: 175°C 晶体管极性: N沟道 电流, Id 连续: 45A 漏源电压, Vds: 30V 电压 @ Rds测量: 10V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.012ohm MSL: MSL 3 - 168小时 阈值电压 Vgs: 1V 针脚数: 3引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: TO-252 功耗 Pd: 44W
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 场效应管MOSFET晶体管(600V以下)
描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 30 V, 0.012 ohm, 10 V, 1 V
工作温度最高值: 175°C 晶体管极性: N沟道 电流, Id 连续: 45A 漏源电压, Vds: 30V 电压 @ Rds测量: 10V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.012ohm MSL: MSL 3 - 168小时 阈值电压 Vgs: 1V 针脚数: 3引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: TO-252 功耗 Pd: 44W
AP18T10AGH-HF-3TR
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 场效应管MOSFET晶体管(600V以下)
描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 100 V, 0.16 ohm, 10 V, 1 V
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: N沟道 电流, Id 连续: 9A 漏源电压, Vds: 100V 电压 @ Rds测量: 10V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.16ohm MSL: MSL 3 - 168小时 阈值电压 Vgs: 1V 针脚数: 3引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: TO-252 功耗 Pd: 28W
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 场效应管MOSFET晶体管(600V以下)
描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 100 V, 0.16 ohm, 10 V, 1 V
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: N沟道 电流, Id 连续: 9A 漏源电压, Vds: 100V 电压 @ Rds测量: 10V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.16ohm MSL: MSL 3 - 168小时 阈值电压 Vgs: 1V 针脚数: 3引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: TO-252 功耗 Pd: 28W
GN-HF-3TR
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 晶体管 - 场效应管MOSFET (600V以下)
工作温度最高值: 150°C SVHC(高度关注物质): To Be Advised 电流, Id 连续: -3.1A 漏源电压, Vds: -30V 电压 @ Rds测量: -4.5V 在电阻RDS（上）: 0.097ohm MSL: MSL 3 - 168小时 阈值电压 Vgs: -1V 针脚数: 3 晶体管极性: P沟道 晶体管封装类型: SOT-23 功耗 Pd: 1.38W
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 晶体管 - 场效应管MOSFET (600V以下)
工作温度最高值: 150°C SVHC(高度关注物质): To Be Advised 电流, Id 连续: -3.1A 漏源电压, Vds: -30V 电压 @ Rds测量: -4.5V 在电阻RDS（上）: 0.097ohm MSL: MSL 3 - 168小时 阈值电压 Vgs: -1V 针脚数: 3 晶体管极性: P沟道 晶体管封装类型: SOT-23 功耗 Pd: 1.38W
AP70T03GH-HF-3TR
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 场效应管MOSFET晶体管(600V以下)
工作温度最高值: 175°C 晶体管极性: N沟道 电流, Id 连续: 60A 漏源电压, Vds: 30V 电压 @ Rds测量: 10V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.009ohm 阈值电压 Vgs: 1V 针脚数: 3引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: TO-252 功耗 Pd: 53W
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 场效应管MOSFET晶体管(600V以下)
工作温度最高值: 175°C 晶体管极性: N沟道 电流, Id 连续: 60A 漏源电压, Vds: 30V 电压 @ Rds测量: 10V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.009ohm 阈值电压 Vgs: 1V 针脚数: 3引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: TO-252 功耗 Pd: 53W
AP1RA03GMT-HF-3TR
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 单场效应管MOSFET晶体管
描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 185 A, 30 V, 0.00159 ohm, 10 V, 1 V
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: N沟道 电流, Id 连续: 185A 漏源电压, Vds: 30V 电压 @ Rds测量: 10V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.00159ohm MSL: MSL 3 - 168小时 阈值电压 Vgs: 1V 针脚数: 8引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: PMPAK 功耗 Pd: 83.3W
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 单场效应管MOSFET晶体管
描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 185 A, 30 V, 0.00159 ohm, 10 V, 1 V
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: N沟道 电流, Id 连续: 185A 漏源电压, Vds: 30V 电压 @ Rds测量: 10V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.00159ohm MSL: MSL 3 - 168小时 阈值电压 Vgs: 1V 针脚数: 8引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: PMPAK 功耗 Pd: 83.3W
AP2321GN-HF-3TR
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 单场效应管MOSFET晶体管
描述: 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.1 A, -40 V, 0.09 ohm, -10 V, -1 V
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: P沟道 电流, Id 连续: -3.1A 漏源电压, Vds: -40V 电压 @ Rds测量: -10V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.09ohm MSL: MSL 3 - 168小时 阈值电压 Vgs: -1V 针脚数: 3引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: SOT-23 功耗 Pd: 1.38W
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 单场效应管MOSFET晶体管
描述: 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.1 A, -40 V, 0.09 ohm, -10 V, -1 V
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: P沟道 电流, Id 连续: -3.1A 漏源电压, Vds: -40V 电压 @ Rds测量: -10V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.09ohm MSL: MSL 3 - 168小时 阈值电压 Vgs: -1V 针脚数: 3引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: SOT-23 功耗 Pd: 1.38W
AP2530GY-HF-3TR
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 双路场效应管MOSFET晶体管
描述: 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.3 A, 30 V, 0.072 ohm, 10 V, 1 V
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: N和P沟道 电流, Id 连续: 3.3A 漏源电压, Vds: 30V 电压 @ Rds测量: 10V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.072ohm MSL: MSL 3 - 168小时 阈值电压 Vgs: 1V 针脚数: 6引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: SOT-26 功耗 Pd: 1.14W
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 双路场效应管MOSFET晶体管
描述: 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.3 A, 30 V, 0.072 ohm, 10 V, 1 V
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: N和P沟道 电流, Id 连续: 3.3A 漏源电压, Vds: 30V 电压 @ Rds测量: 10V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.072ohm MSL: MSL 3 - 168小时 阈值电压 Vgs: 1V 针脚数: 6引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: SOT-26 功耗 Pd: 1.14W
AP4228GM-HF-3TR
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 双路场效应管MOSFET晶体管
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: 双N沟道 电流, Id 连续: 6.8A 漏源电压, Vds: 30V 电压 @ Rds测量: 10V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.026ohm 阈值电压 Vgs: 1V 针脚数: 8引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: SOIC 功耗 Pd: 2W
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 双路场效应管MOSFET晶体管
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: 双N沟道 电流, Id 连续: 6.8A 漏源电压, Vds: 30V 电压 @ Rds测量: 10V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.026ohm 阈值电压 Vgs: 1V 针脚数: 8引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: SOIC 功耗 Pd: 2W