AP4232BGM-HF-3TR

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半导体 - 分立器件>>晶体管>>MOSFET晶体管>>双路场效应管MOSFET晶体管

物料参数

工作温度最高值:150°C
晶体管极性:双N沟道
电流, Id 连续:7.6A
漏源电压, Vds:30V
电压 @ Rds测量:10V
产品范围:-
在电阻RDS(上):0.022ohm
阈值电压 Vgs:1V
针脚数:8引脚
汽车质量标准:-
晶体管封装类型:SOIC
功耗 Pd:2W