ADVANCED LINEAR DEVICES INC
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ALD1106SBL
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: 4 N 沟道，配对 FET 功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 10.6V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 500 欧姆 @ 5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 1µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3pF @ 5V 功率 - 最大值: 500mW 工作温度: 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 14-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 14-SOIC 基本产品编号: ALD1106
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: 4 N 沟道，配对 FET 功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 10.6V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 500 欧姆 @ 5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 1µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3pF @ 5V 功率 - 最大值: 500mW 工作温度: 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 14-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 14-SOIC 基本产品编号: ALD1106
SABMBOVP217
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: SUPERCAP OVP AUTO BAL PCB 2-CH
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, SAB™ 包装: 散装 零件状态: 有源 类型: 电路保护 功能: 过压 嵌入式: - 使用的 IC/零件: ALD910017 主要属性: 2 通道（双路） 所含物品: 板 辅助属性: -
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: SUPERCAP OVP AUTO BAL PCB 2-CH
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, SAB™ 包装: 散装 零件状态: 有源 类型: 电路保护 功能: 过压 嵌入式: - 使用的 IC/零件: ALD910017 主要属性: 2 通道（双路） 所含物品: 板 辅助属性: -
ALD2711ASAL
供应商: DigiKey
分类: 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
描述: IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 放大器类型: CMOS 输出类型: 满摆幅 压摆率: 1V/µs 电流 - 供电: 200µA 电压 - 供电，单/双 (±): 2V ~ 10V，±1V ~ 5V 工作温度: 0°C ~ 70°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SOIC 电路数: 2 增益带宽积: 1 MHz 电流 - 输入偏置: 0.01 pA 电压 - 输入补偿: 800 µV 电流 - 输出/通道: 1 mA 基本产品编号: ALD2711
供应商: DigiKey
分类: 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
描述: IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 放大器类型: CMOS 输出类型: 满摆幅 压摆率: 1V/µs 电流 - 供电: 200µA 电压 - 供电，单/双 (±): 2V ~ 10V，±1V ~ 5V 工作温度: 0°C ~ 70°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SOIC 电路数: 2 增益带宽积: 1 MHz 电流 - 输入偏置: 0.01 pA 电压 - 输入补偿: 800 µV 电流 - 输出/通道: 1 mA 基本产品编号: ALD2711
ALD110800SCL
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
FET类型: 4 N 沟道，配对 FET功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 10.6V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 500 欧姆 @ 4V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 20mV @ 1µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: - 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2.5pF @ 5V 功率-最大值: 500mW 工作温度: 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 16-SOIC
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
FET类型: 4 N 沟道，配对 FET功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 10.6V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 500 欧姆 @ 4V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 20mV @ 1µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: - 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2.5pF @ 5V 功率-最大值: 500mW 工作温度: 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 16-SOIC
ALD810024SCLI
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 特殊用途
描述: MOSFET QUAD SAB 10.6V EE 16SOIC
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: SAB™ 包装: 管件 零件状态: 在售 晶体管类型: 4 个 N 通道 应用: 超级电容器自动平衡 电压 - 额定: 2.4V 额定电流（安培）: 80mA 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 16-SOIC 基本产品编号: ALD810024
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 特殊用途
描述: MOSFET QUAD SAB 10.6V EE 16SOIC
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: SAB™ 包装: 管件 零件状态: 在售 晶体管类型: 4 个 N 通道 应用: 超级电容器自动平衡 电压 - 额定: 2.4V 额定电流（安培）: 80mA 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 16-SOIC 基本产品编号: ALD810024
ALD212902SAL
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, Zero Threshold™ 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: 2 N 沟道（双）配对 FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 10.6V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 20mV @ 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: - 功率 - 最大值: 500mW 工作温度: 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SOIC 基本产品编号: ALD212902
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, Zero Threshold™ 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: 2 N 沟道（双）配对 FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 10.6V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 20mV @ 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: - 功率 - 最大值: 500mW 工作温度: 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SOIC 基本产品编号: ALD212902
ALD310702PCL
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, Zero Threshold™ 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: 4 P 沟道，配对 FET 功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 8V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 180mV @ 1µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2.5pF @ 5V 功率 - 最大值: 500mW 工作温度: 0°C ~ 70°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: 16-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 16-PDIP 基本产品编号: ALD310702
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, Zero Threshold™ 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: 4 P 沟道，配对 FET 功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 8V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 180mV @ 1µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2.5pF @ 5V 功率 - 最大值: 500mW 工作温度: 0°C ~ 70°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: 16-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 16-PDIP 基本产品编号: ALD310702
ALD910020SALI
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 特殊用途
描述: MOSFET DUAL SAB 10.6V 8SOIC
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: SAB™ 包装: 管件 零件状态: 有源 晶体管类型: 2 N-通道（双） 应用: 超级电容器自动平衡 电压 - 额定: 10.6V 额定电流（安培）: 80mA 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SOIC 基本产品编号: ALD910020
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 特殊用途
描述: MOSFET DUAL SAB 10.6V 8SOIC
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: SAB™ 包装: 管件 零件状态: 有源 晶体管类型: 2 N-通道（双） 应用: 超级电容器自动平衡 电压 - 额定: 10.6V 额定电流（安培）: 80mA 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SOIC 基本产品编号: ALD910020
ALD114835SCL
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD® 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: 4 N 沟道，配对 FET 功能: 耗尽模式 漏源电压（Vdss）: 10.6V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12mA，3mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 540 欧姆 @ 0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.45V @ 1µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2.5pF @ 5V 功率 - 最大值: 500mW 工作温度: 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 16-SOIC 基本产品编号: ALD114835
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD® 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: 4 N 沟道，配对 FET 功能: 耗尽模式 漏源电压（Vdss）: 10.6V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12mA，3mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 540 欧姆 @ 0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.45V @ 1µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2.5pF @ 5V 功率 - 最大值: 500mW 工作温度: 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 16-SOIC 基本产品编号: ALD114835
ALD111933PAL
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD® 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: 2 N 沟道（双）配对 FET 功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 10.6V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 500 欧姆 @ 5.9V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.35V @ 1µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2.5pF @ 5V 功率 - 最大值: 500mW 工作温度: 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 8-PDIP 基本产品编号: ALD111933
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD® 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: 2 N 沟道（双）配对 FET 功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 10.6V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 500 欧姆 @ 5.9V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.35V @ 1µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2.5pF @ 5V 功率 - 最大值: 500mW 工作温度: 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 8-PDIP 基本产品编号: ALD111933