ALD110800SCL
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分类
分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
物料参数
| FET类型: | 4 N 沟道，配对 |
| FET功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 10.6V |
| 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: | - |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 500 欧姆 @ 4V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: | 20mV @ 1µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: | 2.5pF @ 5V |
| 功率-最大值: | 500mW |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装: | 16-SOIC |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 50+ | ¥3.0182 |
| 包装：50 | 库存：0 |