ALD1106SBL
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分类
分立半导体产品>>晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
描述
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
物料参数
制造商: | Advanced Linear Devices Inc. |
系列: | - |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 4 N 沟道,配对 |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 10.6V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | - |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 500 欧姆 @ 5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V @ 1µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | - |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 3pF @ 5V |
功率 - 最大值: | 500mW |
工作温度: | 0°C ~ 70°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 14-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
供应商器件封装: | 14-SOIC |
基本产品编号: | ALD1106 |