GENESIC SEMICONDUCTOR INC
GeneSiC is a pioneer and world leader in Silicon Carbide technology, while also invested in high power Silicon technologies. The global leading manufacturers of industrial and defense systems depend on GeneSiC's technology to elevate the performance and efficiency of their products. GeneSiC technology plays a key enabling role in conserving energy in a wide array of high power systems. Our technology enables efficient harvesting of renewable energy sources.
商品列表
MBR120200CT
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 200V 60A 2 TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 60A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 双塔架 供应商器件封装: 双塔架 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV @ 60 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 200 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 200V 60A 2 TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 60A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 双塔架 供应商器件封装: 双塔架 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV @ 60 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 200 V
S12J
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准 底座，接线柱安装 二极管 600V 12A DO-4
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）: 12A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.1V @ 12A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 50V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商器件封装: DO-4 工作温度-结: -65°C ~ 175°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准 底座，接线柱安装 二极管 600V 12A DO-4
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）: 12A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.1V @ 12A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 50V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商器件封装: DO-4 工作温度-结: -65°C ~ 175°C
MBR400150CT
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 150V 200A 2 TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 双塔架 供应商器件封装: 双塔架 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 150 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 880 mV @ 200 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 150 V 基本产品编号: MBR400150
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 150V 200A 2 TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 双塔架 供应商器件封装: 双塔架 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 150 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 880 mV @ 200 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 150 V 基本产品编号: MBR400150
MBR30060CTR
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 60V 300A 2TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对共阳极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 300A（DC） 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 双塔架 供应商器件封装: 双塔架 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 60 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 750 mV @ 150 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 8 mA @ 20 V 基本产品编号: MBR30060
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 60V 300A 2TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对共阳极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 300A（DC） 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 双塔架 供应商器件封装: 双塔架 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 60 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 750 mV @ 150 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 8 mA @ 20 V 基本产品编号: MBR30060
MBR50040CT
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 40V 500A 2TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停產 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 500A（DC） 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 双塔架 供应商器件封装: 双塔架 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 750mV @ 250A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1mA @ 20V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 40V 500A 2TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停產 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 500A（DC） 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 双塔架 供应商器件封装: 双塔架 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 750mV @ 250A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1mA @ 20V
KBJ2502G
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole KBJ
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 单相 技术: 标准 电压-峰值反向（最大值）: 200V 电流-平均整流（Io）: 25A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.05V @ 12.5A 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 200V 工作温度: -55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 4-SIP，KBJ 供应商器件封装: KBJ
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole KBJ
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 单相 技术: 标准 电压-峰值反向（最大值）: 200V 电流-平均整流（Io）: 25A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.05V @ 12.5A 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 200V 工作温度: -55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 4-SIP，KBJ 供应商器件封装: KBJ
MBR12030CTR
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 30V 120A 2TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管配置: 1 对共阳极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 120A（DC） 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 双塔架 供应商器件封装: 双塔架 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 30 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 650 mV @ 60 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 20 V 基本产品编号: MBR12030
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 30V 120A 2TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管配置: 1 对共阳极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 120A（DC） 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 双塔架 供应商器件封装: 双塔架 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 30 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 650 mV @ 60 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 20 V 基本产品编号: MBR12030
GKR130/08
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 800V 165A DO205AA
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 165A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-205AA，DO-8，接线柱 供应商器件封装: DO-205AA（DO-8） 工作温度 - 结: -40°C ~ 180°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 800 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V @ 60 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 22 mA @ 800 V 基本产品编号: GKR130
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 800V 165A DO205AA
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 165A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-205AA，DO-8，接线柱 供应商器件封装: DO-205AA（DO-8） 工作温度 - 结: -40°C ~ 180°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 800 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V @ 60 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 22 mA @ 800 V 基本产品编号: GKR130
MBR2X030A100
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 100V 60A SOT227
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 60A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 840 mV @ 30 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 100 V 基本产品编号: MBR2X030
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 100V 60A SOT227
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 60A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 840 mV @ 30 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 100 V 基本产品编号: MBR2X030
2N7637-GA
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: - 技术: SiC（碳化硅结晶体管） 漏源电压（Vdss）: 650V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 7A（Tc）（165°C） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: - 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: - Vgs（最大值）: - 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 720pF @ 35V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 80W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 170 毫欧 @ 7A 工作温度: -55°C ~ 225°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-257 封装/外壳: TO-257-3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: - 技术: SiC（碳化硅结晶体管） 漏源电压（Vdss）: 650V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 7A（Tc）（165°C） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: - 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: - Vgs（最大值）: - 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 720pF @ 35V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 80W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 170 毫欧 @ 7A 工作温度: -55°C ~ 225°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-257 封装/外壳: TO-257-3