MBR120200CT
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分立半导体产品>>二极管 - 整流器 - 阵列
描述
DIODE SCHOTTKY 200V 60A 2 TOWER
物料参数
制造商: | GeneSiC Semiconductor |
系列: | - |
包装: | 散装 |
零件状态: | 停产 |
二极管配置: | 1 对共阴极 |
二极管类型: | 肖特基 |
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): | 60A |
速度: | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
工作温度 - 结: | -55°C ~ 150°C |
安装类型: | 底座安装 |
封装/外壳: | 双塔架 |
供应商器件封装: | 双塔架 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): | 200 V |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 920 mV @ 60 A |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 1 mA @ 200 V |
价格梯度 | 价格 |
---|---|
25+ | ¥54.3676 |
包装:25 | 库存:0 |