GENESIC SEMICONDUCTOR INC
GeneSiC is a pioneer and world leader in Silicon Carbide technology, while also invested in high power Silicon technologies. The global leading manufacturers of industrial and defense systems depend on GeneSiC's technology to elevate the performance and efficiency of their products. GeneSiC technology plays a key enabling role in conserving energy in a wide array of high power systems. Our technology enables efficient harvesting of renewable energy sources.
商品列表
MBRT30045RL
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 45V 150A 3 TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停產 二极管配置: 1 对共阳极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 150A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 三塔 供应商器件封装: 三塔 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 45 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 600 mV @ 150 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 45 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 45V 150A 3 TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停產 二极管配置: 1 对共阳极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 150A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 三塔 供应商器件封装: 三塔 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 45 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 600 mV @ 150 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 45 V
MBRH12035R
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 35V 120A D-67
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管类型: 肖特基，反极性 电流 - 平均整流 (Io): 120A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 底座安装 封装/外壳: D-67 供应商器件封装: D-67 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 35 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 650 mV @ 120 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 4 mA @ 20 V 基本产品编号: MBRH12035
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 35V 120A D-67
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管类型: 肖特基，反极性 电流 - 平均整流 (Io): 120A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 底座安装 封装/外壳: D-67 供应商器件封装: D-67 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 35 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 650 mV @ 120 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 4 mA @ 20 V 基本产品编号: MBRH12035
MBR2X050A200
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 100A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV @ 50 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 200 V 基本产品编号: MBR2X050
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 100A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV @ 50 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 200 V 基本产品编号: MBR2X050
MURT30060R
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管配置: 1 对共阳极 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 300A（DC） 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 三塔 供应商器件封装: 三塔 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600 V 反向恢复时间 (trr): 200 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V @ 150 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 µA @ 50 V 基本产品编号: MURT30060
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管配置: 1 对共阳极 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 300A（DC） 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 三塔 供应商器件封装: 三塔 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600 V 反向恢复时间 (trr): 200 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V @ 150 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 µA @ 50 V 基本产品编号: MURT30060
GKR71/16
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准 底座，接线柱安装 二极管 1600V 95A DO-5
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 1600V 电流-平均整流（Io）: 95A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.5V @ 60A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10mA @ 1600V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-203AB，DO-5，接线柱 供应商器件封装: DO-5 工作温度-结: -40°C ~ 180°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准 底座，接线柱安装 二极管 1600V 95A DO-5
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 1600V 电流-平均整流（Io）: 95A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.5V @ 60A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10mA @ 1600V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-203AB，DO-5，接线柱 供应商器件封装: DO-5 工作温度-结: -40°C ~ 180°C
MURF10060
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 100A (DC) Chassis Mount TO-244AB
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 100A（DC） 不同If时的电压-正向（Vf: 1.7V @ 50A 速度: 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 75ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 25µA @ 50V 工作温度-结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: TO-244AB 供应商器件封装: TO-244AB
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 100A (DC) Chassis Mount TO-244AB
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 100A（DC） 不同If时的电压-正向（Vf: 1.7V @ 50A 速度: 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 75ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 25µA @ 50V 工作温度-结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: TO-244AB 供应商器件封装: TO-244AB
MBR2X100A120
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 120V 100A SOT227
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 100A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 120V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 880mV @ 100A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3mA @ 120V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 120V 100A SOT227
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 100A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 120V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 880mV @ 100A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3mA @ 120V
S6GR
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 400V 6A DO-4
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 标准型， 反极性 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 400V 电流-平均整流（Io）: 6A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.1V @ 6A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 100V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商器件封装: DO-4 工作温度-结: -65°C ~ 175°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 400V 6A DO-4
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 标准型， 反极性 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 400V 电流-平均整流（Io）: 6A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.1V @ 6A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 100V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商器件封装: DO-4 工作温度-结: -65°C ~ 175°C
MBRT20020R
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 20V 200A 3TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管配置: 1 对共阳极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200A（DC） 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 三塔 供应商器件封装: 三塔 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 20 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 750 mV @ 100 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 20 V 基本产品编号: MBRT20020
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 20V 200A 3TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管配置: 1 对共阳极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200A（DC） 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 三塔 供应商器件封装: 三塔 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 20 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 750 mV @ 100 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 20 V 基本产品编号: MBRT20020
MSRT250100(A)
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: Diode Array 1 对共阴极 标准 1000V 250A（DC） 底座安装 三塔
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 1000V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 250A（DC） 不同If时的电压-正向（Vf: 1.2V @ 250A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 15µA @ 600V 工作温度-结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 三塔 供应商器件封装: 三塔
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: Diode Array 1 对共阴极 标准 1000V 250A（DC） 底座安装 三塔
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 1000V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 250A（DC） 不同If时的电压-正向（Vf: 1.2V @ 250A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 15µA @ 600V 工作温度-结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 三塔 供应商器件封装: 三塔