2N7637-GA

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分立半导体产品>>晶体管 - FET,MOSFET - 单

物料参数

类别:分立半导体产品
制造商:GeneSiC Semiconductor
系列:-
包装:管件
零件状态:在售
FET类型:-
技术:SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss):650V
电流-连续漏极(Id)(25°C时):7A(Tc)(165°C)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):-
不同Id时的Vgs(th)(最大值):-
Vgs(最大值):-
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):720pF @ 35V
FET功能:-
功率耗散(最大值):80W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):170 毫欧 @ 7A
工作温度:-55°C ~ 225°C(TJ)
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-257
封装/外壳:TO-257-3