GENESIC SEMICONDUCTOR INC
GeneSiC is a pioneer and world leader in Silicon Carbide technology, while also invested in high power Silicon technologies. The global leading manufacturers of industrial and defense systems depend on GeneSiC's technology to elevate the performance and efficiency of their products. GeneSiC technology plays a key enabling role in conserving energy in a wide array of high power systems. Our technology enables efficient harvesting of renewable energy sources.
商品列表
MBRT12020R
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 20V 120A 3TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对共阳极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 120A（DC） 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 三塔 供应商器件封装: 三塔 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 20V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 750mV @ 60A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1mA @ 20V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 20V 120A 3TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对共阳极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 120A（DC） 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 三塔 供应商器件封装: 三塔 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 20V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 750mV @ 60A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1mA @ 20V
MBRTA80080
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 80V 400A 3TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停產 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 400A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 三塔 供应商器件封装: 三塔 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 80 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 840 mV @ 400 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 80 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 80V 400A 3TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停產 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 400A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 三塔 供应商器件封装: 三塔 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 80 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 840 mV @ 400 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 80 V
W08M
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A WOM
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 二极管类型: Single Phase 技术: 标准 工作温度: -65°C ~ 125°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 4-圆形，WOM 供应商器件封装: WOM 电压 - 峰值反向（最大值）: 800 V 电流 - 平均整流 (Io): 1.5 A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 1 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 800 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A WOM
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 二极管类型: Single Phase 技术: 标准 工作温度: -65°C ~ 125°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 4-圆形，WOM 供应商器件封装: WOM 电压 - 峰值反向（最大值）: 800 V 电流 - 平均整流 (Io): 1.5 A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 1 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 800 V
GKN130/04
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 400V 165A DO205AA
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 165A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-205AA，DO-8，接线柱 供应商器件封装: DO-205AA（DO-8） 工作温度 - 结: -40°C ~ 180°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V @ 60 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 22 mA @ 400 V 基本产品编号: GKN130
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 400V 165A DO205AA
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 165A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-205AA，DO-8，接线柱 供应商器件封装: DO-205AA（DO-8） 工作温度 - 结: -40°C ~ 180°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V @ 60 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 22 mA @ 400 V 基本产品编号: GKN130
1N6098R
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY REV 40V DO5
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 肖特基，反极性 电流 - 平均整流 (Io): 50A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-203AB，DO-5，接线柱 供应商器件封装: DO-5 工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 700 mV @ 50 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 mA @ 30 V 基本产品编号: 1N6098R
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY REV 40V DO5
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 肖特基，反极性 电流 - 平均整流 (Io): 50A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-203AB，DO-5，接线柱 供应商器件封装: DO-5 工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 700 mV @ 50 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 mA @ 30 V 基本产品编号: 1N6098R
MBR200150CT
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 150V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 100A 不同If时的电压-正向（Vf: 880mV @ 100A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 3mA @ 150V 工作温度-结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 双塔架 供应商器件封装: 双塔架
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 150V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 100A 不同If时的电压-正向（Vf: 880mV @ 100A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 3mA @ 150V 工作温度-结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 双塔架 供应商器件封装: 双塔架
2N7639-GA
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 FET类型: - 技术: SiC（碳化硅结晶体管） 漏源电压（Vdss）: 650V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 15A（Tc）（155°C） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: - 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: - Vgs（最大值）: - 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1534pF @ 35V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 172W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 105 毫欧 @ 15A 工作温度: -55°C ~ 225°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-257 封装/外壳: TO-257-3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 FET类型: - 技术: SiC（碳化硅结晶体管） 漏源电压（Vdss）: 650V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 15A（Tc）（155°C） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: - 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: - Vgs（最大值）: - 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1534pF @ 35V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 172W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 105 毫欧 @ 15A 工作温度: -55°C ~ 225°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-257 封装/外壳: TO-257-3
MBR8035
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 肖特基 底座，接线柱安装 二极管 35V 80A DO-5
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 35V 电流-平均整流（Io）: 80A 不同If时的电压-正向（Vf: 750mV @ 80A 速度: 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 1mA @ 35V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-203AB，DO-5，接线柱 供应商器件封装: DO-5 工作温度-结: -65°C ~ 150°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 肖特基 底座，接线柱安装 二极管 35V 80A DO-5
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 35V 电流-平均整流（Io）: 80A 不同If时的电压-正向（Vf: 750mV @ 80A 速度: 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 1mA @ 35V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-203AB，DO-5，接线柱 供应商器件封装: DO-5 工作温度-结: -65°C ~ 150°C
MBRTA40030L
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 30V 200A 3TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 30 V 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 580 mV @ 200 A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 30 V 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 三塔 供应商器件封装: 三塔
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 30V 200A 3TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 30 V 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 580 mV @ 200 A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 30 V 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 三塔 供应商器件封装: 三塔
MUR2510
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 100V 25A DO4
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 25A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商器件封装: DO-4 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100V 反向恢复时间 (trr): 75ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1V @ 25A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10µA @ 50V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 100V 25A DO4
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 25A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商器件封装: DO-4 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100V 反向恢复时间 (trr): 75ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1V @ 25A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10µA @ 50V