2N7639-GA
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分立半导体产品>>晶体管 - FET,MOSFET - 单
物料参数
类别: | 分立半导体产品 |
制造商: | GeneSiC Semiconductor |
系列: | - |
包装: | 散装 |
零件状态: | 在售 |
FET类型: | - |
技术: | SiC(碳化硅结晶体管) |
漏源电压(Vdss): | 650V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时): | 15A(Tc)(155°C) |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值): | - |
Vgs(最大值): | - |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): | 1534pF @ 35V |
FET功能: | - |
功率耗散(最大值): | 172W(Tc) |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): | 105 毫欧 @ 15A |
工作温度: | -55°C ~ 225°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-257 |
封装/外壳: | TO-257-3 |
价格梯度 | 价格 |
---|---|
10+ | ¥265.0000 |
包装:10 | 库存:0 |