GENESIC SEMICONDUCTOR INC
GeneSiC is a pioneer and world leader in Silicon Carbide technology, while also invested in high power Silicon technologies. The global leading manufacturers of industrial and defense systems depend on GeneSiC's technology to elevate the performance and efficiency of their products. GeneSiC technology plays a key enabling role in conserving energy in a wide array of high power systems. Our technology enables efficient harvesting of renewable energy sources.
商品列表
FR85G05
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准 底座，接线柱安装 二极管 400V 85A DO-5
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 400V 电流-平均整流（Io）: 85A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.4V @ 85A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 500ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 25µA @ 100V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-203AB，DO-5，接线柱 供应商器件封装: DO-5 工作温度-结: -40°C ~ 125°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准 底座，接线柱安装 二极管 400V 85A DO-5
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 400V 电流-平均整流（Io）: 85A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.4V @ 85A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 500ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 25µA @ 100V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-203AB，DO-5，接线柱 供应商器件封装: DO-5 工作温度-结: -40°C ~ 125°C
MBRTA40020L
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 20V 200A 3TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 20 V 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 580 mV @ 200 A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 20 V 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 三塔 供应商器件封装: 三塔
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 20V 200A 3TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 20 V 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 580 mV @ 200 A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 20 V 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 三塔 供应商器件封装: 三塔
MBRH12060
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 60V 120A D-67
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 120A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 底座安装 封装/外壳: D-67 供应商器件封装: D-67 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 60 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 750 mV @ 120 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 4 mA @ 20 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 60V 120A D-67
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 120A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 底座安装 封装/外壳: D-67 供应商器件封装: D-67 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 60 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 750 mV @ 120 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 4 mA @ 20 V
MUR2X060A12
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A SOT227
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 60A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.35 V @ 60 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 µA @ 1200 V 基本产品编号: MUR2X060
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A SOT227
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 60A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.35 V @ 60 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 µA @ 1200 V 基本产品编号: MUR2X060
FR85BR05
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 100V 85A DO-5
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 标准型， 反极性 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 100V 电流-平均整流（Io）: 85A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.4V @ 85A 速度: 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 500ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 25µA @ 100V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-203AB，DO-5，接线柱 供应商器件封装: DO-5 工作温度-结: -40°C ~ 125°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 100V 85A DO-5
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 标准型， 反极性 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 100V 电流-平均整流（Io）: 85A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.4V @ 85A 速度: 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 500ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 25µA @ 100V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-203AB，DO-5，接线柱 供应商器件封装: DO-5 工作温度-结: -40°C ~ 125°C
S6JR
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 600V 6A DO-4
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 标准型， 反极性 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）: 6A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.1V @ 6A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 100V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商器件封装: DO-4 工作温度-结: -65°C ~ 175°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 600V 6A DO-4
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 标准型， 反极性 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）: 6A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.1V @ 6A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 100V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商器件封装: DO-4 工作温度-结: -65°C ~ 175°C
KBPC2504T
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 25A KBPC
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管类型: Single Phase 技术: 标准 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: QC 端子 封装/外壳: 4-方形，KBPC-T 供应商器件封装: KBPC 电压 - 峰值反向（最大值）: 400V 电流 - 平均整流 (Io): 25A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1V @ 12.5A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5µA @ 400V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 25A KBPC
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管类型: Single Phase 技术: 标准 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: QC 端子 封装/外壳: 4-方形，KBPC-T 供应商器件封装: KBPC 电压 - 峰值反向（最大值）: 400V 电流 - 平均整流 (Io): 25A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1V @ 12.5A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5µA @ 400V
GBU8A
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 8A GBU
二极管类型: 单相 技术: 标准 电压-峰值反向（最大值）: 50V 电流-平均整流（Io）: 8A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.1V @ 8A 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 5µA @ 50V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 4-SIP，GBU 供应商器件封装: GBU
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 8A GBU
二极管类型: 单相 技术: 标准 电压-峰值反向（最大值）: 50V 电流-平均整流（Io）: 8A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.1V @ 8A 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 5µA @ 50V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 4-SIP，GBU 供应商器件封装: GBU
MBR30045CT
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 45V 300A 2TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 300A（DC） 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 双塔架 供应商器件封装: 双塔架 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 45 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 650 mV @ 150 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 8 mA @ 20 V 基本产品编号: MBR30045
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 45V 300A 2TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 300A（DC） 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 双塔架 供应商器件封装: 双塔架 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 45 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 650 mV @ 150 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 8 mA @ 20 V 基本产品编号: MBR30045
BR82
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: Bridge Rectifier 单相 标准 200V 通孔 BR-8
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 单相 技术: 标准 电压-峰值反向（最大值）: 200V 电流-平均整流（Io）: 8A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.1V @ 4A 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 200V 工作温度: -65°C ~ 125°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 4-方形，BR-8 供应商器件封装: BR-8
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: Bridge Rectifier 单相 标准 200V 通孔 BR-8
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 单相 技术: 标准 电压-峰值反向（最大值）: 200V 电流-平均整流（Io）: 8A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.1V @ 4A 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 200V 工作温度: -65°C ~ 125°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 4-方形，BR-8 供应商器件封装: BR-8