GENESIC SEMICONDUCTOR INC
GeneSiC is a pioneer and world leader in Silicon Carbide technology, while also invested in high power Silicon technologies. The global leading manufacturers of industrial and defense systems depend on GeneSiC's technology to elevate the performance and efficiency of their products. GeneSiC technology plays a key enabling role in conserving energy in a wide array of high power systems. Our technology enables efficient harvesting of renewable energy sources.
商品列表
MBRT12040R
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 40V 120A 3TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对共阳极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 120A（DC） 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 三塔 供应商器件封装: 三塔 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 750mV @ 60A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1mA @ 20V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 40V 120A 3TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对共阳极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 120A（DC） 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 三塔 供应商器件封装: 三塔 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 750mV @ 60A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1mA @ 20V
S12JR
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 600V 12A DO-4
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 标准型， 反极性 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）: 12A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.1V @ 12A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 50V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商器件封装: DO-4 工作温度-结: -65°C ~ 175°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 600V 12A DO-4
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 标准型， 反极性 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）: 12A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.1V @ 12A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 50V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商器件封装: DO-4 工作温度-结: -65°C ~ 175°C
GB05SLT12-252
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停產 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 5A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 260pF @ 1V，1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装: TO-252 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.8 V @ 2 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 µA @ 1200 V 基本产品编号: GB05SLT12
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停產 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 5A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 260pF @ 1V，1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装: TO-252 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.8 V @ 2 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 µA @ 1200 V 基本产品编号: GB05SLT12
2N7636-GA
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: - 技术: SiC（碳化硅结晶体管） 漏源电压（Vdss）: 650V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 4A（Tc）（165°C） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: - 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: - Vgs（最大值）: - 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 324pF @ 35V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 125W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 415 毫欧 @ 4A 工作温度: -55°C ~ 225°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: TO-276 封装/外壳: TO-276AA
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: - 技术: SiC（碳化硅结晶体管） 漏源电压（Vdss）: 650V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 4A（Tc）（165°C） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: - 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: - Vgs（最大值）: - 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 324pF @ 35V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 125W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 415 毫欧 @ 4A 工作温度: -55°C ~ 225°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: TO-276 封装/外壳: TO-276AA
MBRF20060
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: 二极管，整流器 - 阵列 系列: - 包装: 散装 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 60V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 100A 不同If时的电压-正向（Vf）: 750mV @ 100A 速度: 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: - 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 1mA @ 60V 安装类型: 底座安装 封装/外壳: TO-244AB 供应商器件封装: TO-244AB
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: 二极管，整流器 - 阵列 系列: - 包装: 散装 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 60V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 100A 不同If时的电压-正向（Vf）: 750mV @ 100A 速度: 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: - 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 1mA @ 60V 安装类型: 底座安装 封装/外壳: TO-244AB 供应商器件封装: TO-244AB
S300G
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准 底座，接线柱安装 二极管 400V 300A DO-205AB，DO-9
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 400V 电流-平均整流（Io）: 300A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.2V @ 300A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 100V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-205AB，DO-9，接线柱 供应商器件封装: DO-205AB，DO-9 工作温度-结: -60°C ~ 200°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准 底座，接线柱安装 二极管 400V 300A DO-205AB，DO-9
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 400V 电流-平均整流（Io）: 300A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.2V @ 300A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 100V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-205AB，DO-9，接线柱 供应商器件封装: DO-205AB，DO-9 工作温度-结: -60°C ~ 200°C
KBPC2502T
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 25A KBPC
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管类型: Single Phase 技术: 标准 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: QC 端子 封装/外壳: 4-方形，KBPC-T 供应商器件封装: KBPC 电压 - 峰值反向（最大值）: 200V 电流 - 平均整流 (Io): 25A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1V @ 12.5A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5µA @ 200V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 25A KBPC
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管类型: Single Phase 技术: 标准 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: QC 端子 封装/外壳: 4-方形，KBPC-T 供应商器件封装: KBPC 电压 - 峰值反向（最大值）: 200V 电流 - 平均整流 (Io): 25A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1V @ 12.5A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5µA @ 200V
GKN26/12
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准 底座，接线柱安装 二极管 1200V 25A DO-4
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 1200V 电流-平均整流（Io）: 25A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.55V @ 60A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 4mA @ 1200V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商器件封装: DO-4 工作温度-结: -40°C ~ 180°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准 底座，接线柱安装 二极管 1200V 25A DO-4
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 1200V 电流-平均整流（Io）: 25A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.55V @ 60A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 4mA @ 1200V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商器件封装: DO-4 工作温度-结: -40°C ~ 180°C
1N4588
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 200V 150A DO205AA
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 150A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-205AA，DO-8，接线柱 供应商器件封装: DO-205AA（DO-8） 工作温度 - 结: -60°C ~ 200°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5V @ 150A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 9.5mA @ 200V 基本产品编号: 1N4588
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 200V 150A DO205AA
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 150A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-205AA，DO-8，接线柱 供应商器件封装: DO-205AA（DO-8） 工作温度 - 结: -60°C ~ 200°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5V @ 150A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 9.5mA @ 200V 基本产品编号: 1N4588
MBRTA40035L
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 35V 200A 3TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 35 V 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 600 mV @ 200 A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 35 V 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 三塔 供应商器件封装: 三塔
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 35V 200A 3TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 35 V 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 600 mV @ 200 A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 35 V 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 三塔 供应商器件封装: 三塔