AO4425
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供应商
分类
晶体管>>MOSFETs
描述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：38V 连续漏极电流(Id)：14A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.8mΩ@10V,14A
物料参数
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 10 毫欧 @ 14A，20V |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V，20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 14A（Ta） |
| FET 类型: | P 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 3800pF @ 20V |
| Vgs（最大值）: | ±25V |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 63nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss）: | 38V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 3.1W（Ta） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.5V @ 250µA |