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IPD30N03S2L-10 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为高功率、大电流应用设计。该器件具有出众的电气参数工作电压VDSS高达30V，连续电流ID最高可达60A，且拥有极低的导通电阻RD(on)仅为7mR，确保在大电流环境下也能保持高效能和低热损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动等场合，是提升系统能效、强化可靠性的不二之选。