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这款N沟道场效应管（MOSFET）设计紧凑，具备出色的电气性能。其最大漏源电流（ID）可达25安培，在10伏特下的导通电阻（RDSON）仅为12毫欧姆，有效降低了导通状态下的功耗。该器件的最大漏源电压（VDSS）为60伏特，能够承受较高电压的应用环境，同时，栅源电压（VGS）的最大值为20伏特，提供了宽泛的操作范围。此MOSFET适用于各种电子设备中的电源管理与信号控制，如便携式电子产品、消费类电器等，是高性能电路设计的理想选择。