达尔
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DMN2025UFDF-7
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: DiodesZetex MOSFET, N沟道, Vds=20 V, 5.2（状态）A，6.5（稳定）A, 6引脚 U-DFN2020封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 5.2（状态）A，6.5（稳定）A 最大漏源电压: 20 V 封装类型: U-DFN2020 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 6 最大漏源电阻值: 60 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 1V 最小栅阈值电压: 0.5V 最大功率耗散: 1.6 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±10 V 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -55 °C 长度: 2.05mm 正向二极管电压: 1.2V 宽度: 2.05mm 典型栅极电荷@Vgs: 12.3 nC @ 10 V 高度: 0.58mm 最高工作温度: +150 °C
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: DiodesZetex MOSFET, N沟道, Vds=20 V, 5.2（状态）A，6.5（稳定）A, 6引脚 U-DFN2020封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 5.2（状态）A，6.5（稳定）A 最大漏源电压: 20 V 封装类型: U-DFN2020 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 6 最大漏源电阻值: 60 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 1V 最小栅阈值电压: 0.5V 最大功率耗散: 1.6 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±10 V 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -55 °C 长度: 2.05mm 正向二极管电压: 1.2V 宽度: 2.05mm 典型栅极电荷@Vgs: 12.3 nC @ 10 V 高度: 0.58mm 最高工作温度: +150 °C
ZVN4206GVTA
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: DiodesZetex MOSFET, N沟道, Si, Vds=60 V, 1 A, , 3+Tab引脚 SOT-223封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 1 A 最大漏源电压: 60 V 封装类型: SOT-223 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3+Tab 最大漏源电阻值: 1.5 Ω 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3V 最大功率耗散: 2 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -55 °C 长度: 6.55mm 高度: 1.65mm 宽度: 3.55mm 晶体管材料: Si
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: DiodesZetex MOSFET, N沟道, Si, Vds=60 V, 1 A, , 3+Tab引脚 SOT-223封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 1 A 最大漏源电压: 60 V 封装类型: SOT-223 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3+Tab 最大漏源电阻值: 1.5 Ω 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3V 最大功率耗散: 2 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -55 °C 长度: 6.55mm 高度: 1.65mm 宽度: 3.55mm 晶体管材料: Si
DMP2104LP-7
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: DiodesZetex PMOS, MOSFET, Vds=20 V, DFN封装, 1.5 A, 表面贴装, 3引脚, Si晶体管
通道类型: P 最大连续漏极电流: 1.5 A 最大漏源电压: 20 V 封装类型: DFN 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 240 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 1V 最大功率耗散: 500 mW 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -12 V、+12 V 每片芯片元件数目: 1 高度: 0.53mm 宽度: 1.18mm 长度: 1.48mm 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -55 °C 晶体管材料: Si
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: DiodesZetex PMOS, MOSFET, Vds=20 V, DFN封装, 1.5 A, 表面贴装, 3引脚, Si晶体管
通道类型: P 最大连续漏极电流: 1.5 A 最大漏源电压: 20 V 封装类型: DFN 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 240 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 1V 最大功率耗散: 500 mW 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -12 V、+12 V 每片芯片元件数目: 1 高度: 0.53mm 宽度: 1.18mm 长度: 1.48mm 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -55 °C 晶体管材料: Si
DGTD120T40S1PT
供应商: RS
分类: 晶体管 - IGBT
描述: DiodesZetex 晶体管 - IGBT, 80 A，160（脉冲）A, Vce=1200 V, ±20V, 3引脚, TO-247封装
最大连续集电极电流: 80 A，160（脉冲）A 最大集电极-发射极电压: 1200 V 最大栅极发射极电压: ±20V 晶体管数: 1 最大功率耗散: 357 W 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 长度: 16.26mm 宽度: 5.31mm 高度: 21.46mm 尺寸: 16.26 x 5.31 x 21.46mm 栅极电容: 6030pF 最低工作温度: -55 °C 最高工作温度: +150 °C
供应商: RS
分类: 晶体管 - IGBT
描述: DiodesZetex 晶体管 - IGBT, 80 A，160（脉冲）A, Vce=1200 V, ±20V, 3引脚, TO-247封装
最大连续集电极电流: 80 A，160（脉冲）A 最大集电极-发射极电压: 1200 V 最大栅极发射极电压: ±20V 晶体管数: 1 最大功率耗散: 357 W 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 长度: 16.26mm 宽度: 5.31mm 高度: 21.46mm 尺寸: 16.26 x 5.31 x 21.46mm 栅极电容: 6030pF 最低工作温度: -55 °C 最高工作温度: +150 °C
DZ9F6V2S92-7
供应商: RS
分类: 稳压二极管
描述: DiodesZetex 1路路 稳压二极管, 6.2V ±5% 200 mW, 2引脚 SOD-923封装
额定齐纳电压: 6.2V 每片芯片元件数目: 1 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 200 mW 封装类型: SOD-923 齐纳类型: 超小型 齐纳电压容差: ±5% 引脚数目: 2 测试电流: 5mA 最大齐纳阻抗: 100Ω 最大反向漏电流: 1µA 长度: 0.8mm 宽度: 0.6mm 尺寸: 0.8 x 0.6 x 0.37mm 正向电压: 0.9V 高度: 0.37mm 最高工作温度: +150 °C 典型电压温度系数: 3.7 (Maximum)mV/°C 功率耗散: 200mW 最低工作温度: -65 °C 正向电流: 10mA
供应商: RS
分类: 稳压二极管
描述: DiodesZetex 1路路 稳压二极管, 6.2V ±5% 200 mW, 2引脚 SOD-923封装
额定齐纳电压: 6.2V 每片芯片元件数目: 1 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 200 mW 封装类型: SOD-923 齐纳类型: 超小型 齐纳电压容差: ±5% 引脚数目: 2 测试电流: 5mA 最大齐纳阻抗: 100Ω 最大反向漏电流: 1µA 长度: 0.8mm 宽度: 0.6mm 尺寸: 0.8 x 0.6 x 0.37mm 正向电压: 0.9V 高度: 0.37mm 最高工作温度: +150 °C 典型电压温度系数: 3.7 (Maximum)mV/°C 功率耗散: 200mW 最低工作温度: -65 °C 正向电流: 10mA
AP7383-36WR-7
供应商: RS
分类: 调压器
描述: DiodesZetex 电压调节器, 5引脚
调节器类型: 低跌落电压 最大输出电流: 150mA 输出电压: 3.6 V 输出数目: 1 线路调节: 0.05 %/V 负荷调节: 0.5 V 安装类型: 表面贴装 极性: 正极 静态电流: 1.8µA 封装类型: SOT-25 引脚数目: 5 输出类型: 固定 尺寸: 3.1 x 1.7 x 1.3mm 高度: 1.3mm 最低工作温度: -40°C 最高工作温度: +125 °C 最小输入电压: 3.5 V 最大输入电压: 30 V
供应商: RS
分类: 调压器
描述: DiodesZetex 电压调节器, 5引脚
调节器类型: 低跌落电压 最大输出电流: 150mA 输出电压: 3.6 V 输出数目: 1 线路调节: 0.05 %/V 负荷调节: 0.5 V 安装类型: 表面贴装 极性: 正极 静态电流: 1.8µA 封装类型: SOT-25 引脚数目: 5 输出类型: 固定 尺寸: 3.1 x 1.7 x 1.3mm 高度: 1.3mm 最低工作温度: -40°C 最高工作温度: +125 °C 最小输入电压: 3.5 V 最大输入电压: 30 V
BAV70T-7-F
供应商: RS
分类: 肖特基二极管和整流二极管
描述: DiodesZetex二极管, 表面贴装安装, SOT-523 (SC-89)封装, 3引脚
安装类型: 表面贴装 封装类型: SOT-523 (SC-89) 最大连续正向电流: 75mA 峰值反向重复电压: 85V 二极管配置: 共阴极 二极管类型: 硅结型 引脚数目: 3 最大正向电压降: 1.25V 每片芯片元件数目: 2 二极管技术: 硅结型 峰值反向回复时间: 4ns
供应商: RS
分类: 肖特基二极管和整流二极管
描述: DiodesZetex二极管, 表面贴装安装, SOT-523 (SC-89)封装, 3引脚
安装类型: 表面贴装 封装类型: SOT-523 (SC-89) 最大连续正向电流: 75mA 峰值反向重复电压: 85V 二极管配置: 共阴极 二极管类型: 硅结型 引脚数目: 3 最大正向电压降: 1.25V 每片芯片元件数目: 2 二极管技术: 硅结型 峰值反向回复时间: 4ns
AP7381-33Y-13
供应商: RS
分类: LDO低压差线性稳压器
描述: 达尔 LDO 电压调节器控制器, 3.3 V输出, 150mA最大输出, SOT-89封装
输出电压: 3.3 V 最大电流时的降电压: 1000mV 输出类型: 固定 封装类型: SOT-89 最大输出电流: 150mA 安装类型: 表面贴装 最小输入电压: 3.3 V 最大输入电压: 40 V 引脚数目: 3 + Tab 输出数目: 1 极性: 正极 静态电流: 2.5µA 最低工作温度: -40°C 最高工作温度: +125 °C 启用: 是 宽度: 2.6mm 负荷调节: 0.5 V 尺寸: 4.6 x 2.6 x 1.6mm 线路调节: 0.05 %/V 长度: 4.6mm 高度: 1.6mm
供应商: RS
分类: LDO低压差线性稳压器
描述: 达尔 LDO 电压调节器控制器, 3.3 V输出, 150mA最大输出, SOT-89封装
输出电压: 3.3 V 最大电流时的降电压: 1000mV 输出类型: 固定 封装类型: SOT-89 最大输出电流: 150mA 安装类型: 表面贴装 最小输入电压: 3.3 V 最大输入电压: 40 V 引脚数目: 3 + Tab 输出数目: 1 极性: 正极 静态电流: 2.5µA 最低工作温度: -40°C 最高工作温度: +125 °C 启用: 是 宽度: 2.6mm 负荷调节: 0.5 V 尺寸: 4.6 x 2.6 x 1.6mm 线路调节: 0.05 %/V 长度: 4.6mm 高度: 1.6mm
DZ9F3V3S92-7
供应商: RS
分类: 稳压二极管
描述: DiodesZetex 1路路 稳压二极管, 3.3V ±5% 200 mW, 2引脚 SOD-923封装
额定齐纳电压: 3.3V 安装类型: 表面贴装 每片芯片元件数目: 1 最大功率耗散: 200 mW 封装类型: SOD-923 齐纳类型: 超小型 齐纳电压容差: ±5% 引脚数目: 2 测试电流: 5mA 最大齐纳阻抗: 1000Ω 最大反向漏电流: 10µA 长度: 0.8mm 宽度: 0.6mm 尺寸: 0.8 x 0.6 x 0.37mm 最高工作温度: +150 °C 功率耗散: 200mW 正向电压: 0.9V 正向电流: 10mA 典型电压温度系数: 0 (Maximum)mV/°C 最低工作温度: -65 °C 高度: 0.37mm
供应商: RS
分类: 稳压二极管
描述: DiodesZetex 1路路 稳压二极管, 3.3V ±5% 200 mW, 2引脚 SOD-923封装
额定齐纳电压: 3.3V 安装类型: 表面贴装 每片芯片元件数目: 1 最大功率耗散: 200 mW 封装类型: SOD-923 齐纳类型: 超小型 齐纳电压容差: ±5% 引脚数目: 2 测试电流: 5mA 最大齐纳阻抗: 1000Ω 最大反向漏电流: 10µA 长度: 0.8mm 宽度: 0.6mm 尺寸: 0.8 x 0.6 x 0.37mm 最高工作温度: +150 °C 功率耗散: 200mW 正向电压: 0.9V 正向电流: 10mA 典型电压温度系数: 0 (Maximum)mV/°C 最低工作温度: -65 °C 高度: 0.37mm
DMTH10H010SCT
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 达尔 MOSFET, N沟道, Vds=100 V, 100 A, 3引脚 TO-220AB封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 100 A 最大漏源电压: 100 V 最大漏源电阻值: 9.5 mΩ 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大栅源电压: ±20 V 封装类型: TO-220AB 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 187 W 典型栅极电荷@Vgs: 56.4 nC @ 10 V 最低工作温度: -55 °C 每片芯片元件数目: 1 宽度: 4.82mm 典型接通延迟时间: 18.6 ns 典型输入电容值@Vds: 4468 pF @ 50 V 最高工作温度: +175 °C 典型关断延迟时间: 44.8 ns 正向二极管电压: 1.3V 长度: 10.66mm 尺寸: 10.66 x 4.82 x 16.51mm 高度: 16.51mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 达尔 MOSFET, N沟道, Vds=100 V, 100 A, 3引脚 TO-220AB封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 100 A 最大漏源电压: 100 V 最大漏源电阻值: 9.5 mΩ 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大栅源电压: ±20 V 封装类型: TO-220AB 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 187 W 典型栅极电荷@Vgs: 56.4 nC @ 10 V 最低工作温度: -55 °C 每片芯片元件数目: 1 宽度: 4.82mm 典型接通延迟时间: 18.6 ns 典型输入电容值@Vds: 4468 pF @ 50 V 最高工作温度: +175 °C 典型关断延迟时间: 44.8 ns 正向二极管电压: 1.3V 长度: 10.66mm 尺寸: 10.66 x 4.82 x 16.51mm 高度: 16.51mm