DMN2040LTS-13
品牌
达尔
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
DiodesZetex MOSFET, N沟道, 双, Si, Vds=20 V, 6.7 A, 8引脚 TSSOP封装
物料参数
通道类型: | N |
最大连续漏极电流: | 6.7 A |
最大漏源电压: | 20 V |
封装类型: | TSSOP |
安装类型: | 表面贴装 |
引脚数目: | 8 |
最大漏源电阻值: | 36 mΩ |
通道模式: | 增强 |
最大栅阈值电压: | 1.2V |
最大功率耗散: | 890 mW |
晶体管配置: | 共漏极 |
最大栅源电压: | -12 V、+12 V |
每片芯片元件数目: | 2 |
高度: | 1.025mm |
晶体管材料: | Si |
最低工作温度: | -55 °C |
宽度: | 3.1mm |
最高工作温度: | +150 °C |
典型栅极电荷@Vgs: | 5.2 nC @ 4.5 V |
长度: | 4.5mm |