DMN2040LTS-13

品牌
达尔
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
DiodesZetex MOSFET, N沟道, 双, Si, Vds=20 V, 6.7 A, 8引脚 TSSOP封装

物料参数

通道类型:N
最大连续漏极电流:6.7 A
最大漏源电压:20 V
封装类型:TSSOP
安装类型:表面贴装
引脚数目:8
最大漏源电阻值:36 mΩ
通道模式:增强
最大栅阈值电压:1.2V
最大功率耗散:890 mW
晶体管配置:共漏极
最大栅源电压:-12 V、+12 V
每片芯片元件数目:2
高度:1.025mm
晶体管材料:Si
最低工作温度:-55 °C
宽度:3.1mm
最高工作温度:+150 °C
典型栅极电荷@Vgs:5.2 nC @ 4.5 V
长度:4.5mm