东芝
None
商品列表
2SC5359-O(Q)
供应商: RS
分类: 2sc535 o q
描述: 东芝 晶体管, NPN, 最大直流集电极电流 15 A, TO-3PL封装, 30 MHz, 3引脚
晶体管类型: NPN 最大直流集电极电流: 15 A 最大集电极-发射极电压: 230 V 封装类型: TO-3PL 安装类型: 通孔 最大功率耗散: 180000 mW 最小直流电流增益: 80 晶体管配置: 单 最大集电极-基极电压: 230 V 最大发射极-基极电压: 5 V 最大工作频率: 30 MHz 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1 尺寸: 26 x 20.5 x 5.2mm 最高工作温度: +150 °C 高度: 26mm 最大集电极-发射极饱和电压: 3 V 最低工作温度: -55 °C 宽度: 5.2mm 长度: 20.5mm
供应商: RS
分类: 2sc535 o q
描述: 东芝 晶体管, NPN, 最大直流集电极电流 15 A, TO-3PL封装, 30 MHz, 3引脚
晶体管类型: NPN 最大直流集电极电流: 15 A 最大集电极-发射极电压: 230 V 封装类型: TO-3PL 安装类型: 通孔 最大功率耗散: 180000 mW 最小直流电流增益: 80 晶体管配置: 单 最大集电极-基极电压: 230 V 最大发射极-基极电压: 5 V 最大工作频率: 30 MHz 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1 尺寸: 26 x 20.5 x 5.2mm 最高工作温度: +150 °C 高度: 26mm 最大集电极-发射极饱和电压: 3 V 最低工作温度: -55 °C 宽度: 5.2mm 长度: 20.5mm
GT60J323(Q)
供应商: RS
分类: gt60j3
描述: 东芝 IGBT, Vce=600 V, 60 A, TO-3PLH封装, 3引脚, 通孔安装
最大连续集电极电流: 60 A 最大集电极-发射极电压: 600 V 最大栅极发射极电压: ±25V 封装类型: TO-3PLH 安装类型: 通孔 通道类型: N 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 尺寸: 20.5 x 5.2 x 26mm 最低工作温度: -55 °C 最高工作温度: +150 °C
供应商: RS
分类: gt60j3
描述: 东芝 IGBT, Vce=600 V, 60 A, TO-3PLH封装, 3引脚, 通孔安装
最大连续集电极电流: 60 A 最大集电极-发射极电压: 600 V 最大栅极发射极电压: ±25V 封装类型: TO-3PLH 安装类型: 通孔 通道类型: N 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 尺寸: 20.5 x 5.2 x 26mm 最低工作温度: -55 °C 最高工作温度: +150 °C
SSM3J356R,LF(T
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 新产品Toshiba P沟道 MOSFET SSM3J356R,LF(T, 2 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23F封装
通道类型: P 最大连续漏极电流: 2 A 最大漏源电压: 60 V 最大漏源电阻值: 400 mΩ 最大栅阈值电压: 2V 最小栅阈值电压: 0.8V 最大栅源电压: -20/+10 V 封装类型: SOT-23F 安装类型: 表面贴装 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 电源管理开关 最大功率耗散: 1 W 尺寸: 2.9 x 1.8 x 0.8mm 典型接通延迟时间: 29 ns 长度: 2.9mm 典型关断延迟时间: 48 ns 正向二极管电压: 1.2V 最高工作温度: +150 °C 典型输入电容值@Vds: 330 pF @ -10 V 高度: 0.8mm 典型栅极电荷@Vgs: 8.3 nC @ 10 V 汽车标准: AEC-Q101 每片芯片元件数目: 1 正向跨导: 4.7S 宽度: 1.8mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 新产品Toshiba P沟道 MOSFET SSM3J356R,LF(T, 2 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23F封装
通道类型: P 最大连续漏极电流: 2 A 最大漏源电压: 60 V 最大漏源电阻值: 400 mΩ 最大栅阈值电压: 2V 最小栅阈值电压: 0.8V 最大栅源电压: -20/+10 V 封装类型: SOT-23F 安装类型: 表面贴装 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 电源管理开关 最大功率耗散: 1 W 尺寸: 2.9 x 1.8 x 0.8mm 典型接通延迟时间: 29 ns 长度: 2.9mm 典型关断延迟时间: 48 ns 正向二极管电压: 1.2V 最高工作温度: +150 °C 典型输入电容值@Vds: 330 pF @ -10 V 高度: 0.8mm 典型栅极电荷@Vgs: 8.3 nC @ 10 V 汽车标准: AEC-Q101 每片芯片元件数目: 1 正向跨导: 4.7S 宽度: 1.8mm
TK25N60X,S1F(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 25 A, 3引脚 TO-247封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 25 A 最大漏源电压: 600 V 最大漏源电阻值: 125 mΩ 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大栅源电压: -30 V、+30 V 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 开关调节器 最大功率耗散: 180 W 每片芯片元件数目: 1 最高工作温度: +150 °C 典型输入电容值@Vds: 2400 pF @ 300 V 宽度: 5.02mm 长度: 15.94mm 尺寸: 15.94 x 5.02 x 20.95mm 正向二极管电压: 1.7V 典型关断延迟时间: 90 ns 晶体管材料: Si 系列: DTMOSIV 典型栅极电荷@Vgs: 40 nC @ 10 V 高度: 20.95mm 典型接通延迟时间: 45 ns
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 25 A, 3引脚 TO-247封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 25 A 最大漏源电压: 600 V 最大漏源电阻值: 125 mΩ 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大栅源电压: -30 V、+30 V 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 开关调节器 最大功率耗散: 180 W 每片芯片元件数目: 1 最高工作温度: +150 °C 典型输入电容值@Vds: 2400 pF @ 300 V 宽度: 5.02mm 长度: 15.94mm 尺寸: 15.94 x 5.02 x 20.95mm 正向二极管电压: 1.7V 典型关断延迟时间: 90 ns 晶体管材料: Si 系列: DTMOSIV 典型栅极电荷@Vgs: 40 nC @ 10 V 高度: 20.95mm 典型接通延迟时间: 45 ns
TPN11006NL,LQ(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=60 V, 37 A, 8引脚 TSON封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 37 A 最大漏源电压: 60 V 封装类型: TSON 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 17 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.5V 最小栅阈值电压: 1.5V 最大功率耗散: 30 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 正向二极管电压: 1.2V 典型栅极电荷@Vgs: 23 nC @ 10 V 宽度: 3.1mm 高度: 0.85mm 系列: U-MOSVIII-H 最高工作温度: +150 °C 长度: 3.1mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=60 V, 37 A, 8引脚 TSON封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 37 A 最大漏源电压: 60 V 封装类型: TSON 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 17 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.5V 最小栅阈值电压: 1.5V 最大功率耗散: 30 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 正向二极管电压: 1.2V 典型栅极电荷@Vgs: 23 nC @ 10 V 宽度: 3.1mm 高度: 0.85mm 系列: U-MOSVIII-H 最高工作温度: +150 °C 长度: 3.1mm
TPH11006NL,LQ(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=60 V, 40 A, 8引脚 SOP封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 40 A 最大漏源电压: 60 V 封装类型: SOP 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 17 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.5V 最小栅阈值电压: 1.5V 最大功率耗散: 34 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 正向二极管电压: 1.2V 最高工作温度: +150 °C 晶体管材料: Si 长度: 5mm 高度: 0.95mm 宽度: 5mm 系列: U-MOSVIII-H 典型栅极电荷@Vgs: 23 nC @ 10 V
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=60 V, 40 A, 8引脚 SOP封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 40 A 最大漏源电压: 60 V 封装类型: SOP 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 17 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.5V 最小栅阈值电压: 1.5V 最大功率耗散: 34 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 正向二极管电压: 1.2V 最高工作温度: +150 °C 晶体管材料: Si 长度: 5mm 高度: 0.95mm 宽度: 5mm 系列: U-MOSVIII-H 典型栅极电荷@Vgs: 23 nC @ 10 V
SSM3K341R,LF(T
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=60 V, 6 A, 3引脚 SOT-23F封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 6 A 最大漏源电压: 60 V 封装类型: SOT-23F 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 69 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.5V 最小栅阈值电压: 1.5V 最大功率耗散: 2.4 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 长度: 2.9mm 晶体管材料: Si 高度: 0.8mm 宽度: 1.8mm 系列: U-MOSVIII-H 正向二极管电压: 1.5V 最高工作温度: +175 °C 典型栅极电荷@Vgs: 9.3 nC @ 10 V
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=60 V, 6 A, 3引脚 SOT-23F封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 6 A 最大漏源电压: 60 V 封装类型: SOT-23F 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 69 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.5V 最小栅阈值电压: 1.5V 最大功率耗散: 2.4 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 长度: 2.9mm 晶体管材料: Si 高度: 0.8mm 宽度: 1.8mm 系列: U-MOSVIII-H 正向二极管电压: 1.5V 最高工作温度: +175 °C 典型栅极电荷@Vgs: 9.3 nC @ 10 V
TK25E60X5,S1X(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 25 A, 3引脚 TO-220封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 25 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: TO-220 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 140 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4.5V 最小栅阈值电压: 3V 最大功率耗散: 180 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.7V 典型栅极电荷@Vgs: 60 nC @ 10 V 宽度: 4.45mm 高度: 15.1mm 长度: 10.16mm 系列: DTMOSIV
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 25 A, 3引脚 TO-220封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 25 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: TO-220 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 140 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4.5V 最小栅阈值电压: 3V 最大功率耗散: 180 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.7V 典型栅极电荷@Vgs: 60 nC @ 10 V 宽度: 4.45mm 高度: 15.1mm 长度: 10.16mm 系列: DTMOSIV
TC7SHU04FU(F)
供应商: RS
分类: 反相器
描述: 东芝 CMOS 反相器, 5引脚, SSOP封装, 最高工作温度 +85 °C, 5.5 V电源, 否输入
逻辑功能: 逆变器 每片芯片元件数目: 1 施密特触发器输入: 否 最长传播延迟时间@最长CL: 11.4 ns @ 3.3 V 最大高电平输出电流: -8mA 最大低电平输出电流: 8mA 安装类型: 表面贴装 封装类型: SSOP 引脚数目: 5 逻辑系列: VHC 尺寸: 2 x 1.25 x 0.9mm 高度: 0.9mm 最低工作温度: -40 °C 传输延迟测试条件: 50pF 最高工作温度: +85 °C 长度: 2mm 最大工作电源电压: 5.5 V 宽度: 1.25mm 最小工作电源电压: 2 V
供应商: RS
分类: 反相器
描述: 东芝 CMOS 反相器, 5引脚, SSOP封装, 最高工作温度 +85 °C, 5.5 V电源, 否输入
逻辑功能: 逆变器 每片芯片元件数目: 1 施密特触发器输入: 否 最长传播延迟时间@最长CL: 11.4 ns @ 3.3 V 最大高电平输出电流: -8mA 最大低电平输出电流: 8mA 安装类型: 表面贴装 封装类型: SSOP 引脚数目: 5 逻辑系列: VHC 尺寸: 2 x 1.25 x 0.9mm 高度: 0.9mm 最低工作温度: -40 °C 传输延迟测试条件: 50pF 最高工作温度: +85 °C 长度: 2mm 最大工作电源电压: 5.5 V 宽度: 1.25mm 最小工作电源电压: 2 V
RN1104(F)
供应商: RS
分类: 双极型晶体管
描述: 东芝 套件, NPN, ESM封装, 表面贴装安装, 最大集电极-发射电压50 V
晶体管类型: NPN 最大集电极-发射极电压: 50 V 封装类型: ESM 安装类型: 表面贴装 晶体管配置: 单 最大发射极-基极电压: 10 V 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1 尺寸: 1.6 x 0.8 x 0.7mm
供应商: RS
分类: 双极型晶体管
描述: 东芝 套件, NPN, ESM封装, 表面贴装安装, 最大集电极-发射电压50 V
晶体管类型: NPN 最大集电极-发射极电压: 50 V 封装类型: ESM 安装类型: 表面贴装 晶体管配置: 单 最大发射极-基极电压: 10 V 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1 尺寸: 1.6 x 0.8 x 0.7mm