SSM3J356R,LF(T
品牌
东芝
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
新产品Toshiba P沟道 MOSFET SSM3J356R,LF(T, 2 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23F封装
物料参数
| 通道类型: | P |
| 最大连续漏极电流: | 2 A |
| 最大漏源电压: | 60 V |
| 最大漏源电阻值: | 400 mΩ |
| 最大栅阈值电压: | 2V |
| 最小栅阈值电压: | 0.8V |
| 最大栅源电压: | -20/+10 V |
| 封装类型: | SOT-23F |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 晶体管配置: | 单 |
| 引脚数目: | 3 |
| 通道模式: | 增强 |
| 类别: | 电源管理开关 |
| 最大功率耗散: | 1 W |
| 尺寸: | 2.9 x 1.8 x 0.8mm |
| 典型接通延迟时间: | 29 ns |
| 长度: | 2.9mm |
| 典型关断延迟时间: | 48 ns |
| 正向二极管电压: | 1.2V |
| 最高工作温度: | +150 °C |
| 典型输入电容值@Vds: | 330 pF @ -10 V |
| 高度: | 0.8mm |
| 典型栅极电荷@Vgs: | 8.3 nC @ 10 V |
| 汽车标准: | AEC-Q101 |
| 每片芯片元件数目: | 1 |
| 正向跨导: | 4.7S |
| 宽度: | 1.8mm |