SSM3K324R

品牌
东芝
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
东芝 MOSFET, N沟道, Vds=30 V, 4 A, 3引脚 SOT-23F封装

物料参数

通道类型:N
最大连续漏极电流:4 A
最大漏源电压:30 V
封装类型:SOT-23F
安装类型:表面贴装
引脚数目:3
最大漏源电阻值:109 mΩ
通道模式:增强
最大栅阈值电压:1V
最小栅阈值电压:0.4V
最大功率耗散:1 W
晶体管配置:
最大栅源电压:±12 V
每片芯片元件数目:1
宽度:1.8mm
长度:2.9mm
最高工作温度:+150 °C
正向二极管电压:1.2V
高度:0.7mm
典型栅极电荷@Vgs:2.2 nC @ 4.5 V