IRF6725MTR1PBF

品牌
英飞凌
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
英飞凌 MOSFET 晶体管, N沟道, Vds=30 V, 28 A, 7引脚 DirectFET MX封装

物料参数

通道类型:N
最大连续漏极电流:28 A
最大漏源电压:30 V
最大漏源电阻值:2 mΩ
最大栅源电压:-20 V、+20 V
封装类型:DirectFET MX
安装类型:表面贴装
引脚数目:7
通道模式:增强
类别:功率 MOSFET
最大功率耗散:2.8 W
典型接通延迟时间:16 ns
最低工作温度:-40 °C
典型栅极电荷@Vgs:36 nC @ 4.5 V
典型输入电容值@Vds:4700 pF @ 15 V
宽度:5.05mm
长度:5.45mm
尺寸:5.45 x 5.05 x 0.6mm
最高工作温度:+150 °C
高度:0.6mm
每片芯片元件数目:1
典型关断延迟时间:19 ns