VANGUARD

Vanguard Electronics, an acknowledged leader in space level magnetics, power transformer and power inductor industry, has manufactured the highest quality electronic components for defense, space, commercial and industrial applications since 1952.

商品列表

VS4602AP
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：220A 功率(Pd)：125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.9V@250μA N沟道 40V 220A

VSI008N10MS
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：94A 功率(Pd)：107W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：10.5mΩ@4.5V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.3V@250μA N沟道 100V 94A

VS4020AP
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：45W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7mΩ@4.5V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA N沟道 40V 80A

VS6038AD
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@60V,25A N沟道 60V 25A

VS3518AE
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：35A 功率(Pd)：30W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：39mΩ@4.5V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.3V@250μA P沟道 -30V -35A

VS6038AI
供应商: Anychip Mall
分类: 预售新品
描述: -

VSI013N08MS
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：66A 功率(Pd)：83W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@4.5V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA N沟道 80V 66A

VSE090N10MS
供应商: Anychip Mall
分类: VSE090N10MS
描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：103mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W 类型：N沟道 N沟道 100V 14A

VSD004N03MS
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：150A 功率(Pd)：125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA N沟道 30V 150A

VS150N08BT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)