场效应管(MOSFET)

类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：33A 功率(Pd)：48W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@4.5V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.4V@250uA P沟道 -40V -33A