场效应管(MOSFET)

类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：35A 功率(Pd)：30W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：39mΩ@4.5V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.3V@250μA P沟道 -30V -35A