场效应管(MOSFET)

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：220A 功率(Pd)：125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.9V@250μA N沟道 40V 220A