IXYS
IXYS is a pioneer in the development of power semiconductors, integrated circuits and RF systems that effectively monitor electrical voltage to produce maximum effect with least expenditure of energy.
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IXFC16N50P
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220
制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarHT™ 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 450 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.5V @ 2.5mA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 125W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: ISOPLUS220™ 封装/外壳: ISOPLUS220™ 漏源电压（Vdss）: 500 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 43 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2250 pF @ 25 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220
制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarHT™ 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 450 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.5V @ 2.5mA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 125W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: ISOPLUS220™ 封装/外壳: ISOPLUS220™ 漏源电压（Vdss）: 500 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 43 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2250 pF @ 25 V
MWI75-06A7
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MODULE 600V 90A 280W E2
制造商: IXYS 系列: - 包装: 盒 零件状态: 有源 IGBT 类型: NPT 配置: 三相反相器 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.6V @ 15V，75A 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 无 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: E2 供应商器件封装: E2 电压 - 集射极击穿（最大值）: 600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 90A 功率 - 最大值: 280W 电流 - 集电极截止（最大值）: 1.3mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 3.2nF @ 25V 基本产品编号: MWI
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MODULE 600V 90A 280W E2
制造商: IXYS 系列: - 包装: 盒 零件状态: 有源 IGBT 类型: NPT 配置: 三相反相器 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.6V @ 15V，75A 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 无 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: E2 供应商器件封装: E2 电压 - 集射极击穿（最大值）: 600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 90A 功率 - 最大值: 280W 电流 - 集电极截止（最大值）: 1.3mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 3.2nF @ 25V 基本产品编号: MWI
IXFX55N50
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247-3
制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 55A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 80 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 8mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 625W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: PLUS247™-3 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 500 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 330 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 9400 pF @ 25 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247-3
制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 55A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 80 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 8mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 625W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: PLUS247™-3 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 500 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 330 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 9400 pF @ 25 V
VMM90-09P
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 900V 85A Y3-LI
制造商: IXYS 系列: * 包装: 盒 零件状态: 有源 基本产品编号: VMM90
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 900V 85A Y3-LI
制造商: IXYS 系列: * 包装: 盒 零件状态: 有源 基本产品编号: VMM90
IXSQ20N60B2D1
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 600V 35A 190W TO3P
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停產 IGBT 类型: PT 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.5V @ 15V，16A 开关能量: 380µJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 30ns/116ns 测试条件: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装: TO-3P 电压 - 集射极击穿（最大值）: 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 35 A 功率 - 最大值: 190 W 栅极电荷: 33 nC 反向恢复时间 (trr): 30 ns 基本产品编号: IXS*20N60
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 600V 35A 190W TO3P
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停產 IGBT 类型: PT 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.5V @ 15V，16A 开关能量: 380µJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 30ns/116ns 测试条件: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装: TO-3P 电压 - 集射极击穿（最大值）: 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 35 A 功率 - 最大值: 190 W 栅极电荷: 33 nC 反向恢复时间 (trr): 30 ns 基本产品编号: IXS*20N60
MCC4408I01B
供应商: DigiKey
分类: 晶闸管 - SCR - 模块
描述: THYRISTOR MODULE RECTIFIER
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 结构: 串联 - 全部为 SCR SCR 数，二极管: 2 SCRs 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 1150A，1230A 工作温度: - 安装类型: 底座安装 封装/外壳: TO-240AA 电压 - 断态: 800 V 电流 - 通态 (It (AV))（最大值）: 51 A 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）: 80 A 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）: 1.5 V 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）: 100 mA 电流 - 保持 (Ih)（最大值）: 200 mA 基本产品编号: MCC4408
供应商: DigiKey
分类: 晶闸管 - SCR - 模块
描述: THYRISTOR MODULE RECTIFIER
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 结构: 串联 - 全部为 SCR SCR 数，二极管: 2 SCRs 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 1150A，1230A 工作温度: - 安装类型: 底座安装 封装/外壳: TO-240AA 电压 - 断态: 800 V 电流 - 通态 (It (AV))（最大值）: 51 A 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）: 80 A 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）: 1.5 V 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）: 100 mA 电流 - 保持 (Ih)（最大值）: 200 mA 基本产品编号: MCC4408
IXFK140N20P
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 200V 140A TO264AA
Vgs(th)(Max)@Id: 5V @ 4mA Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: - DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn): 10V, 15V GateCharge(Qg)(Max)@Vgs: 240 nC @ 10 V SupplierDevicePackage: TO-264AA (IXFK) BaseProductNumber: IXFK140 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 140A (Tc) Vgs(Max): ±20V Mfr: IXYS CaliforniaProp65: PowerDissipation(Max): 830W (Tc) RoHSStatus: ROHS3 Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 200 V OperatingTemperature: -55°C ~ 175°C (TJ) ProductStatus: Active RdsOn(Max)@Id,Vgs: 18mOhm @ 70A, 10V Package/Case: TO-264-3, TO-264AA MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected MountingType: Through Hole InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 7500 pF @ 25 V Series: HiPerFET™, Polar FETType: N-Channel Package: Tube HTSUS: 8541.29.0095
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 200V 140A TO264AA
Vgs(th)(Max)@Id: 5V @ 4mA Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: - DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn): 10V, 15V GateCharge(Qg)(Max)@Vgs: 240 nC @ 10 V SupplierDevicePackage: TO-264AA (IXFK) BaseProductNumber: IXFK140 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 140A (Tc) Vgs(Max): ±20V Mfr: IXYS CaliforniaProp65: PowerDissipation(Max): 830W (Tc) RoHSStatus: ROHS3 Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 200 V OperatingTemperature: -55°C ~ 175°C (TJ) ProductStatus: Active RdsOn(Max)@Id,Vgs: 18mOhm @ 70A, 10V Package/Case: TO-264-3, TO-264AA MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected MountingType: Through Hole InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 7500 pF @ 25 V Series: HiPerFET™, Polar FETType: N-Channel Package: Tube HTSUS: 8541.29.0095
IXA12IF1200TC
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
描述: IGBT PT 1200V 20A 85W 表面贴装 TO-268AA
类别: 分立半导体产品 制造商: IXYS 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 IGBT类型: PT 电压-集射极击穿（最大值）: 1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 20A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 2.1V @ 15V，10A 功率-最大值: 85W 开关能量: 1.1mJ（开），1.1mJ（关） 输入类型: 标准 栅极电荷: 27nC 25°C时Td（开/关）值: - 测试条件: 600V，10A，100 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）: 350ns 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 供应商器件封装: TO-268AA
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
描述: IGBT PT 1200V 20A 85W 表面贴装 TO-268AA
类别: 分立半导体产品 制造商: IXYS 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 IGBT类型: PT 电压-集射极击穿（最大值）: 1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 20A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 2.1V @ 15V，10A 功率-最大值: 85W 开关能量: 1.1mJ（开），1.1mJ（关） 输入类型: 标准 栅极电荷: 27nC 25°C时Td（开/关）值: - 测试条件: 600V，10A，100 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）: 350ns 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 供应商器件封装: TO-268AA
IXFH60N20
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 200V 60A TO247AD
制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 33 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 4mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 300W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247AD（IXFH） 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 200 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 155 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5200 pF @ 25 V 基本产品编号: IXFH60
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 200V 60A TO247AD
制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 33 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 4mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 300W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247AD（IXFH） 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 200 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 155 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5200 pF @ 25 V 基本产品编号: IXFH60
GWM160-0055X1-SLSAM
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS
制造商: IXYS 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: 6 N-沟道（3 相桥） FET 功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 55V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 150A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 105nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: - 功率 - 最大值: - 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 17-SMD，扁平引线 供应商器件封装: ISOPLUS-DIL™ 基本产品编号: GWM160
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS
制造商: IXYS 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: 6 N-沟道（3 相桥） FET 功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 55V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 150A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 105nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: - 功率 - 最大值: - 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 17-SMD，扁平引线 供应商器件封装: ISOPLUS-DIL™ 基本产品编号: GWM160