IXSQ20N60B2D1
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分立半导体产品>>晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述
IGBT 600V 35A 190W TO3P
物料参数
| 制造商: | IXYS |
| 系列: | - |
| 包装: | 散装 |
| 零件状态: | 停產 |
| IGBT 类型: | PT |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.5V @ 15V，16A |
| 开关能量: | 380µJ（关） |
| 输入类型: | 标准 |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 30ns/116ns |
| 测试条件: | - |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商器件封装: | TO-3P |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 35 A |
| 功率 - 最大值: | 190 W |
| 栅极电荷: | 33 nC |
| 反向恢复时间 (trr): | 30 ns |
| 基本产品编号: | IXS*20N60 |
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