IXYS
IXYS is a pioneer in the development of power semiconductors, integrated circuits and RF systems that effectively monitor electrical voltage to produce maximum effect with least expenditure of energy.
商品列表
IXTY08N100D2
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
Vgs(th)(Max)@Id: - Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: Depletion Mode DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn): - GateCharge(Qg)(Max)@Vgs: 14.6 nC @ 5 V SupplierDevicePackage: TO-252AA BaseProductNumber: IXTY08 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 800mA (Tc) Vgs(Max): ±20V Mfr: IXYS CaliforniaProp65: PowerDissipation(Max): 60W (Tc) RoHSStatus: ROHS3 Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 1000 V OperatingTemperature: -55°C ~ 150°C (TJ) ProductStatus: Active RdsOn(Max)@Id,Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V Package/Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected MountingType: Surface Mount InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 325 pF @ 25 V Series: Depletion FETType: N-Channel Package: Tube HTSUS: 8541.29.0095
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
Vgs(th)(Max)@Id: - Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: Depletion Mode DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn): - GateCharge(Qg)(Max)@Vgs: 14.6 nC @ 5 V SupplierDevicePackage: TO-252AA BaseProductNumber: IXTY08 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 800mA (Tc) Vgs(Max): ±20V Mfr: IXYS CaliforniaProp65: PowerDissipation(Max): 60W (Tc) RoHSStatus: ROHS3 Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 1000 V OperatingTemperature: -55°C ~ 150°C (TJ) ProductStatus: Active RdsOn(Max)@Id,Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V Package/Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected MountingType: Surface Mount InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 325 pF @ 25 V Series: Depletion FETType: N-Channel Package: Tube HTSUS: 8541.29.0095
IXTQ160N075T
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 75V 160A TO3P
制造商: IXYS 系列: TrenchMV™ 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 160A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 360W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-3P 封装/外壳: TO-3P-3，SC-65-3 漏源电压（Vdss）: 75 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 112 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4950 pF @ 25 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 75V 160A TO3P
制造商: IXYS 系列: TrenchMV™ 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 160A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 360W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-3P 封装/外壳: TO-3P-3，SC-65-3 漏源电压（Vdss）: 75 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 112 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4950 pF @ 25 V
IXFK16N90Q
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 900V 16A TO264AA
制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 16A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 650 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 4mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 360W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-264AA（IXFK） 封装/外壳: TO-264-3，TO-264AA 漏源电压（Vdss）: 900 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 170 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4000 pF @ 25 V 基本产品编号: IXFK16
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 900V 16A TO264AA
制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 16A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 650 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 4mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 360W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-264AA（IXFK） 封装/外壳: TO-264-3，TO-264AA 漏源电压（Vdss）: 900 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 170 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4000 pF @ 25 V 基本产品编号: IXFK16
IXYH20N120C3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 1200V 40A 278W TO-247AD
制造商: IXYS 系列: GenX3™, XPT™ 包装: 管件 零件状态: 有源 IGBT 类型: - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 3.4V @ 15V，20A 开关能量: 1.3mJ（开），500µJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 20ns/90ns 测试条件: 600V，20A，10 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247（IXYH） 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 40 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 96 A 功率 - 最大值: 278 W 栅极电荷: 53 nC 基本产品编号: IXYH20
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 1200V 40A 278W TO-247AD
制造商: IXYS 系列: GenX3™, XPT™ 包装: 管件 零件状态: 有源 IGBT 类型: - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 3.4V @ 15V，20A 开关能量: 1.3mJ（开），500µJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 20ns/90ns 测试条件: 600V，20A，10 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247（IXYH） 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 40 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 96 A 功率 - 最大值: 278 W 栅极电荷: 53 nC 基本产品编号: IXYH20
IXFK90N30
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 通孔 N 沟道 300V 90A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
类别: 分立半导体产品 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 300V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 90A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 33 毫欧 @ 45A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 8mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 360nC @ 10V Vgs（最大值）: ±20V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 10000pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 560W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-264AA（IXFK） 封装/外壳: TO-264-3，TO-264AA
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 通孔 N 沟道 300V 90A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
类别: 分立半导体产品 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 300V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 90A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 33 毫欧 @ 45A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 8mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 360nC @ 10V Vgs（最大值）: ±20V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 10000pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 560W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-264AA（IXFK） 封装/外壳: TO-264-3，TO-264AA
MCC700-22IO1W
供应商: DigiKey
分类: 晶闸管 - SCR - 模块
描述: SCR THY PHASE LEG 2200V WC-500
制造商: IXYS 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 停产 结构: 串联 - 全部为 SCR SCR 数，二极管: 2 SCRs 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 18200 @ 50MHz 工作温度: - 安装类型: 底座安装 封装/外壳: WC-500 电压 - 断态: 2.2 kV 电流 - 通态 (It (AV))（最大值）: 700 A 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）: 1331 A 基本产品编号: MC*700
供应商: DigiKey
分类: 晶闸管 - SCR - 模块
描述: SCR THY PHASE LEG 2200V WC-500
制造商: IXYS 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 停产 结构: 串联 - 全部为 SCR SCR 数，二极管: 2 SCRs 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 18200 @ 50MHz 工作温度: - 安装类型: 底座安装 封装/外壳: WC-500 电压 - 断态: 2.2 kV 电流 - 通态 (It (AV))（最大值）: 700 A 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）: 1331 A 基本产品编号: MC*700
IXFH15N80Q
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ 包装: 管件 零件状态: 不适用于新设计 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 600 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 4mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 300W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247AD（IXFH） 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 800 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 90 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4300 pF @ 25 V 基本产品编号: IXFH15
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ 包装: 管件 零件状态: 不适用于新设计 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 600 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 4mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 300W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247AD（IXFH） 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 800 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 90 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4300 pF @ 25 V 基本产品编号: IXFH15
MID145-12A3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT Module NPT 单路 1200V 160A 700W 底座安装 Y4-M5
类别: 分立半导体产品 制造商: IXYS 系列: - 零件状态: 在售 IGBT类型: NPT 配置: 单路 电压-集射极击穿（最大值）: 1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 160A 功率-最大值: 700W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 2.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止（最大值）: 6mA 不同 Vce时的输入电容（Cies）: 6.5nF @ 25V 输入: 标准 NTC热敏电阻: 无 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: Y4-M5 供应商器件封装: Y4-M5 基本零件编号: MID
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT Module NPT 单路 1200V 160A 700W 底座安装 Y4-M5
类别: 分立半导体产品 制造商: IXYS 系列: - 零件状态: 在售 IGBT类型: NPT 配置: 单路 电压-集射极击穿（最大值）: 1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 160A 功率-最大值: 700W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 2.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止（最大值）: 6mA 不同 Vce时的输入电容（Cies）: 6.5nF @ 25V 输入: 标准 NTC热敏电阻: 无 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: Y4-M5 供应商器件封装: Y4-M5 基本零件编号: MID
IXTH280N055T
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 55V 280A TO247
制造商: IXYS 系列: TrenchMV™ 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 280A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.2 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 550W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247（IXTH） 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 55 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 200 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 9700 pF @ 25 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 55V 280A TO247
制造商: IXYS 系列: TrenchMV™ 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 280A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.2 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 550W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247（IXTH） 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 55 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 200 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 9700 pF @ 25 V
VMM1500-0075P
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 75V 1500A Y3-LI
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停產 FET 类型: 2 N-通道（双） FET 功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 75V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1500A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 0.8 毫欧 @ 1200A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 2480nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: - 功率 - 最大值: - 工作温度: -40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: Y3-Li 供应商器件封装: Y3-Li 基本产品编号: VMM
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 75V 1500A Y3-LI
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停產 FET 类型: 2 N-通道（双） FET 功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 75V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1500A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 0.8 毫欧 @ 1200A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 2480nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: - 功率 - 最大值: - 工作温度: -40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: Y3-Li 供应商器件封装: Y3-Li 基本产品编号: VMM